エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム(ESS)は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ(電気化学的)、圧縮空気(機械的)、溶融塩(熱エネルギー)など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
onsemi MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF 14,471在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 100 V, 1.53 mohm, 312 A 2,738在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 312 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 131 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm 2,858在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 95.6 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NTBGS004N10G
onsemi MOSFET Power MOSFET 203 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK 7L 680在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 178 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET, Power 80V Single N-Channel
5,970取寄中
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel