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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
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1:
¥2,021.2
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非在庫リードタイム 32 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3-4
新製品
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STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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非在庫リードタイム 32 週間
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¥2,021.2
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¥1,287.7
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¥1,149.2
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¥1,088.8
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最低: 1
複数: 1
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Through Hole
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HiP247-4
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N-Channel
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1.2 kV
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30 A
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87 mOhms
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- 10 V, + 22 V
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3 V
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41 nC
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- 55 C
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+ 200 C
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236 W
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Enhancement
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
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1:
¥2,029.4
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3AG
新製品
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STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
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非在庫リードタイム 21 週間
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¥2,029.4
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¥1,685.4
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¥1,517.5
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¥1,206.2
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¥1,204.6
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最低: 1
複数: 1
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AEC-Q100
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
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448:
¥9,326.9
-
非在庫リードタイム 22 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCTHCT250N12G3AG
新製品
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STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
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非在庫リードタイム 22 週間
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最低: 448
複数: 448
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Through Hole
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N-Channel
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1 Channel
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1.2 kV
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239 A
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10.5 mOhms
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-10 V, 22 V
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4.4 V
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304 nC
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- 55 C
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+ 200 C
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994 W
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Enhancement
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AEC-Q100
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
¥3,030.2
-
非在庫リードタイム 18 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT012HU90G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
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非在庫リードタイム 18 週間
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¥3,030.2
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見積り
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見積り
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最低: 600
複数: 600
:
600
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥1,752.3
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT019H120G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
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非在庫リードタイム 21 週間
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最低: 1,000
複数: 1,000
:
1,000
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AEC-Q100
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SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥1,056.2
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT040H65G3-7
新製品
|
STMicroelectronics
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SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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非在庫リードタイム 21 週間
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最低: 1,000
複数: 1,000
:
1,000
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
¥1,235.5
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3AG
新製品
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STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
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非在庫リードタイム 21 週間
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¥1,235.5
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¥1,145.9
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見積り
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見積り
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最低: 600
複数: 600
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AEC-Q100
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SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
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1,000:
¥815
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
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Mouser 部品番号
511-SCT055H65G3-7
新製品
|
STMicroelectronics
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SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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非在庫リードタイム 21 週間
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最低: 1,000
複数: 1,000
:
1,000
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥932.4
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT055H65G3AG
新製品
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STMicroelectronics
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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非在庫リードタイム 21 週間
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最低: 1,000
複数: 1,000
:
1,000
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AEC-Q100
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