SemiQ SiC MOSFET

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET 20在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET 25在庫
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET 6在庫
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 234在庫
60予想2026/06/19
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 120在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 97在庫
30予想2026/06/16
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L 22在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L 13在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET 46在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 58 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
250予想2026/06/22
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 83 A 36 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 233 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 在庫なし
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement