NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。 さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。  

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
出力電圧
出力電力
入力/供給電圧 - 最小
入力/供給電圧 - 最大
トポロジー
技術
スイッチング周波数
負荷サイクル - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
ROHM Semiconductor AC/DCコンバータ Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
データシート
3,998在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole DIP-7 35 W 8.9 V 26 V Flyback Si 100 kHz 90 % 900 uA - 40 C + 105 C Tube
ROHM Semiconductor AC/DCコンバータ Quasi-Resonant Control type DC/DC Converter IC: The quasi-resonant controller typed AC/DC converter IC BM1Q041FJ provides an optimum system for all products that include an electrical outlet. Quasi-resonant operation enables soft switching and helps
データシート
4,000在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

SMD/SMT SOP-8 12.5 V 8.9 V 26 V Si 120 kHz 600 uA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor AC/DCコンバータ Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
データシート
非在庫リードタイム 19 週間
最低： 1
複数： 1

Through Hole DIP-7 30 W 8.9 V 26 V Flyback Si 100 kHz 90 % 650 uA - 40 C + 105 C Tube