AS1001204-0054X0ISAY

Avalanche Technology
793-10012040054X0ISY
AS1001204-0054X0ISAY

メーカ：

詳細：
MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Avalanche Technology
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:  
SOIC-8
QSPI
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
20 ns
1.71 V
2 V
21 mA
- 40 C
+ 85 C
AS1001204
Tray
ブランド: Avalanche Technology
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 300
トレードネーム: STT-MRAM, MRAM
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データシート

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

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