SIC820AED-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIC820AED-T1-GE3
SIC820AED-T1-GE3

メーカ：

詳細：
基板取付型電力センサー 80A 3.3V PWM PowerPAK MLP56-39L

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Vishay Semiconductors SIC820AED-T1-GE3の詳細を読む

在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
最小: 3000   倍数: 3000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
完全リール（3000の倍数で注文）
¥520 ¥1,560,000

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: 基板取付型電力センサー
ブランド: Vishay Semiconductors
パッケージ化: Reel
製品タイプ: Board Mount Current Sensors
シリーズ: SIC
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Sensors
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DrMOS SiC8x統合電力段

Vishay Siliconix DrMOS SiC8x統合電力段は、同期バックアプリケーション向けに最適化されており、電流、効率性、電力密度性能を増大させます。シリコンカーバイド（SiC）電力段によって、位相ごとに連続電流を供給する電圧レギュレータの設計が可能になります。SiC8xは、位相あたり最大80Aまでが可能です。内部パワーMOSFETには、TrenchFET® Gen IVテクノロジーが活用されており、業界標準の性能を発揮してスイッチング損失と伝導損失を低減できます。SiliconixドライバとMOSFET Module (DrMOS) SiC8xには、大電流駆動能力、適応型デッドタイム制御、統合型ブートストラップスイッチ、システムに接点温度の過熱を知らせる熱アラートを搭載した、先進的MOSFETゲートドライバICが組み込まれています。

VRPower DrMOS統合型パワーステージ

Vishay Semiconductors VRPower DrMOS統合型パワーステージは、高電流、高効率、高電圧密度の性能を提供する同期バックアプリケーション用に最適化されています。SiCシリーズパワーステージはVishay独自のMLPパッケージに入っており、フェーズごとの連続電流を提供する電圧レギュレータ設計を可能にします。このシリーズには、高電流駆動能力、適応型デッドタイム制御、統合型ショットキーダイオード、軽量負荷効率を向上するためのゼロ電流検出機能を搭載した、先進的MOSFETゲートドライバICが組み込まれています。
詳細

センサ

Vishayは、車載、産業、医療、その他をはじめとする広範な業界を網羅したアプリケーションを対象とした各種のセンサを取り揃えています。センサとは、温度、位置、距離、近接度を計測して光源に応答するために使用する機器です。Vishayセンサは、車載、産業、医療アプリケーションに加えて、コンピューティング、民生、テレコミュニケーション、防衛、航空宇宙にも使用されています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。