AP64351Q設計は、電磁干渉(EMI) を低減するように最適化されています。このデバイスには独自のゲートドライバスキームがあり、MOSFET電源ONおよび電源OFF時間を犠牲にすることなくスイッチングノードのリンギングに抵抗できます。これによって、MOSFETスイッチングに起因する高周波放射EMIノイズが減少します。AP64351Qは、スイッチング周波数ジッタが±6%の周波数拡散スペクトル(FSS) もそなえており、放出されたエネルギーが長時間にわたって任意の周波数に留まらないようにしてEMIを低減します。
特徴
- AEC-Q100で品質評価済み、結果は以下のとおり
- デバイス温度Grade 1: -40°C~+125°C TA範囲
- デバイスHBM ESD分類レベルH2
- デバイスCDM ESD分類レベルC5
- 3.8V~40V VIN
- 3.5A 連続出力電流
- 0.8V ±1%リファレンス電圧
- 22µA低自己消費電流(パルス周波数変調)
- 570kHzのスイッチング周波数
- プログラマブルソフトスタート時間
- 5mA軽負荷で最高85%の効率性
- 最善のEMI低減のための独自のゲート・ドライバ設計
- 周波数スペクトラム拡散(FSS)でEMIを軽減
- 低ドロップアウト (LDO) モード
- UVLOを調整する高精度イネーブル閾値
- 保護回路
- 低電圧ロックアウト(UVLO)機能
- 出力過電圧保護(OVP)
- サイクル毎のピーク電流制限
- サーマルシャットダウン
- 無鉛およびRoHSに完全準拠
- ハロゲンとアンチモンフリー「グリーン」デバイス
- AP64351Qは、特定の変更制御を必要とする車載アプリケーションに最適
- パーツはAEC-Q100認定
- PPAPに対応
- IATF 16949認証施設で製造
アプリケーション
- 12V車載パワーシステム
- 車載用インフォテイメント
- 自動車計器クラスタ
- 自動車テレマティックス
- 先進運転支援システム(ADAS)
機能ブロック図
公開: 2020-06-30
| 更新済み: 2024-08-05

