|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,346.8
-
316在庫
-
3,750取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMDQ65R010M2HXUM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
316在庫
3,750取寄中
取寄中:
750 予想2027/02/11
750 予想2027/04/08
2,250 予想2027/09/23
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
154 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
651 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,503.1
-
1,900在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R020M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,900在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
440 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,197.5
-
3,307在庫
-
240予想2027/06/24
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZA65R033M2HXKS
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
3,307在庫
240予想2027/06/24
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
53 A
|
41 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
194 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R010M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,101
-
256在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMBG65R010M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
256在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
158 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
112 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
535 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,335.4
-
708在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMBG65R026M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
708在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
33 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
263 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,161
-
280在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMBG65R033M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
280在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
58 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R060M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,386.9
-
416在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMBG65R060M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
416在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
34.9 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
148 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,210.9
-
788在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMBG65R075M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
788在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
|
+ 175 C
|
124 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R015M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,170.8
-
901在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMDQ65R015M2HXUM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
901在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
94 A
|
18 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
79 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
499 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,742.3
-
489在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMDQ65R020M2HXUM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
489在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
97 A
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
394 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,891.9
-
909在庫
-
1,800予想2027/06/03
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMLT65R033M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
909在庫
1,800予想2027/06/03
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
312 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,088
-
804在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMLT65R075M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
804在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
1 Channel
|
650 V
|
34.7 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
187 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,009.7
-
535在庫
-
2,000予想2027/02/04
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R010M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
535在庫
2,000予想2027/02/04
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
168 A
|
13.1 mOhms
|
- 7V, + 23 V
|
4.5 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
681 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R033M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,935.1
-
2,051在庫
-
2,000予想2027/04/08
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R033M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2,051在庫
2,000予想2027/04/08
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R060M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,224.2
-
2,858在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R060M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2,858在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
41.4 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R075M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,111.2
-
685在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT65R075M2HXUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
685在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
|
TOLL-8
|
|
650 V
|
|
75 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMTA65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,067.9
-
1,958在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMTA65R026M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
1,958在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
79 A
|
33 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
- IMTA65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,798.9
-
1,658在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMTA65R033M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
|
|
1,658在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
315 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,034.8
-
2,084在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMTA65R075M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2,084在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LHSOF-4
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
95 mOhms
|
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
141 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,280.4
-
191在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R010M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
191在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
130 A
|
13.1 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
112 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
440 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,474.9
-
718在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R026M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
718在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
64 A
|
33 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R075M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,406.9
-
486在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMW65R075M2HXKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
486在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
26.6 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
111 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,501.5
-
1,885在庫
|
Mouser 部品番号
726-IMLT65R020M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,885在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
1 Channel
|
650 V
|
|
20 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,423.4
-
10,334在庫
|
Mouser 部品番号
726-IMTA65R020M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
10,334在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
|
|
20 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥5,818.5
-
681在庫
|
Mouser 部品番号
726-IMZA65R007M2HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
681在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
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1 Channel
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650 V
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210 A
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8.5 mOhms
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- 18 V, + 18 V
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5.6 V
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439 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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625 W
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Enhancement
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CoolSiC
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