ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 1224 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IGOT65R055D2AUMA

メーカ番号：

IGOT65R055D2AUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

GaN FET HV GAN DISCRETES

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

IGOT65R055D2AUMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	HEMT
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	66 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.6 V
Qg - ゲート電荷:	6.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	83 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	Power Transistors
製品タイプ:	GaN FETs
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	GaN Power Transistor

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IGOT65R055D2AUMA1 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: インドネシア
組立原産国:: インドネシア
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CoolGan™ 600V eモード電源トランジスタ

Infineon Technologies CoolGan™ 600V強化モード（e-Mode）パワートランジスタは、高速なオン/オフ切り替え速度を実現し、よりシンプルなハーフブリッジトポロジーを可能にします。頑丈で信頼性の高いトランジスタは、GaNの利点を最大限に活用できる高性能なSMDパッケージで提供されます。これらのトランジスタは、高効率、高電力密度、高い動作周波数能力、および低EMIを特長としています。アプリケーションには、テレコム/データコム/サーバSMPS、ワイヤレス充電、充電器、アダプタがあります。

CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ

インフィニオン (Infineon) の CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、最大 650V の電圧範囲での電力変換に対応する、高効率 GaN（窒化ガリウム）トランジスタ技術を採用しています。インフィニオン (Infineon) の GaN 技術は、エンハンスメントモード（e‑mode）コンセプトを、大量のエンドツーエンド生産によって成熟させています。この先進的な品質により、最高水準の基準が確保され、最も信頼性の高い性能が提供されます。エンハンスメントモードの CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、超高速スイッチングによりシステム効率と電力密度を向上させます。