IGKA23S101SXTSA1

Infineon Technologies
726-IGKA23S101SXTSA1
IGKA23S101SXTSA1

メーカ：

詳細：
GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
SG-UFWLB-4
N-Channel
1 Channel
100 V
2.2 A
230 mOhms
6.5 V
2.9 V
0.2 nC
- 40 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Transistors
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 4000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: CoolGaN Transistor
別の部品番号: IGKA23S101S SP006154174
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
中国
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CoolGaN™ 100V G3トランジスタ

インフィニオン (Infineon)CoolGaN™100V G3 トランジスタは、コンパクトな筐体に収められたノーマリーオフ型エンハンスメントモード（e-mode）パワートランジスタです。これらのトランジスタはオン状態抵抗が低く、要求の厳しい大電流・高電圧アプリケーションにおいて信頼性の高い性能を発揮する理想的な選択肢となります。CoolGaNトランジスタは 熱管理を改善するよう設計されています。代表的なアプリケーションには、オーディオアンプソリューション、太陽光発電、通信インフラ、e‑モビリティ、ロボティクス、ドローンが含まれます。

在庫: 2,707

在庫：
2,707 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
22 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥363.8 ¥364
¥230.9 ¥2,309
¥156.1 ¥15,610
¥126.6 ¥63,300
¥113.3 ¥113,300
¥106 ¥265,000
完全リール（4000の倍数で注文）
¥100.5 ¥402,000
¥91.4 ¥731,200

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