MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 655
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
1,305在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
1,266在庫
2,280予想2026/11/11
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
2,160在庫
4,000予想2026/11/11
最低： 1
複数： 1
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
75在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
189在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
58在庫
最低： 1
複数： 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
データシート
70在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
データシート
67在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 8Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBB313ES2T
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 8Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBB313IS2T
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13ES2T
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 32Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM032LXQAB313ES2T
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
90在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
5在庫
216予想2026/10/14
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
11在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
データシート
75在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBB313ES2T
データシート
100在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13IS2T
データシート
76在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
93在庫
最低： 1
複数： 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
データシート
9在庫
最低： 1
複数： 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
データシート
910予想2026/08/13
最低： 1
複数： 1

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
データシート
90予想2027/01/15
最低： 1
複数： 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
データシート
1,140予想2026/12/02
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
データシート
5,150取寄中
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray