最新の半導体 – Mouser 日本

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IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS SK002xSx高感度SCR

08/27/2026

- マイクロプロセッサドライブに対応し、高いノイズ耐性を備えた高感度SCR。

IXYS DK610S3RP 1600V汎用整流器ダイオード

07/20/2026

- 省スペース設計で、自動実装に適しており、DC位相制御アプリケーションに最適です。

IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器

07/20/2026

- 安定性を向上させるガラスパッシベーション接合を採用し、DO-214ABパッケージに実装されています。

IXYS X4-ClassパワーMOSFET

02/02/2026

- 低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。

IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード

01/20/2026

- 600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。

IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラスパワーMOSFET

10/08/2025

- セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。

IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

09/19/2025

- これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。

IXYS IX4352NEAUローサイドゲートドライバ

09/04/2025

- SiC MOSFETおよびハイパワーIGBTを駆動するために特別に設計されています。

IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET

08/27/2025

- 最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。

IXYS IX3407B絶縁型シングルチャンネル・ゲートドライバ

06/30/2025

- 個別の出力ピンで7A（代表値）のソースおよびシンク・ピーク出力電流を提供します。

IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器

04/14/2025

- ガラス不動態化接合部が特徴で、安定した動作と高い信頼性が保証されます。

IXYS IXD0579Mゲートドライバー

04/03/2025

- 100V高周波数ハイサイドおよびローサイドゲートドライバで、統合ブートストラップダイオードが備わっています。

IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード

04/03/2025

- 高周波動作および高サージ電流対応を特長としています。

IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール

03/25/2025

- 平面不動態化チップと統合された140Aダイオードモジュールで、長期安定性が備わっています。

IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET

03/17/2025

- 650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET

03/06/2025

- TO263-7Lパッケージの1,200V、30mΩ、79A産業グレードデバイスを備えたシングルスイッチMOSFETです。

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET

03/06/2025

- 1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。

IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET

02/27/2025

- 650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。

IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET

02/27/2025

- 650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

02/18/2025

- 工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。

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フィルタリング基準:

Microchip Technology MCP16503 Power Management IC (PMIC)

09/08/2026

- Optimally integrated PMIC for general-purpose eMPUs that require Dynamic Voltage Scaling (DVS).

Microchip Technology MCP16503 (EV05A95A) Evaluation Board

09/08/2026

- The board was developed to evaluate the capabilities of the MCP16503 high-performance PMIC.

Microchip Technology PIC32CM GC Curiosity Pro Development Board

09/08/2026

- Provides a hardware development platform for PIC32CM GC microcontrollers.

Microchip Technology PIC32CM GC00 Curiosity Nano + Touch Evaluation Kit

09/08/2026

- Evaluates the PIC32CM GC00 microcontroller (MCU) with full programming and debugging capabilities.

Infineon Technologies TLE9954QSWEVALKIT Evaluation Kit

09/04/2026

- This kit enables easy evaluation of the TLE9954QSW40-33, which is pre-mounted on the PCB.

Infineon Technologies TLE9954QSW40-33 MOTIX™ Motor Control SoCs/SIPs

09/04/2026

- This combination delivers a compact, highly integrated solution for automotive BLDC pumps and seats.

Qorvo QPC6144 50MHz-12GHz高絶縁型SP4Tスイッチ

09/04/2026

- 携帯電話、5G、その他の高性能高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。

Qorvo QPF4607 Wi-Fi® 7 Front End Modules (FEMs)

09/04/2026

- Highly integrated FEMs designed for Wi-Fi® 7 (802.11be) systems.

NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board

09/03/2026

- Designed for the NAFE33352 industrial-grade universal analog input and output front-end (AFE).

Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs

09/03/2026

- These reference designs were developed for a USB-PD charger or a notebook USB-PD adapter.

STMicroelectronics ISM6HGK256X Intelligent IMU

09/03/2026

- A high-end, low-noise, low-power 6-axis intelligent inertial measurement unit (IMU).

STMicroelectronics LSM6DSK320X 6-Axis Inertial Measurement Unit (IMU)

09/03/2026

- A compact, low-power, high-performance 6-axis inertial measurement unit (IMU).

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET

09/02/2026

- 1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。

NXP Semiconductors KITVR249SKTEVM評価キット

09/01/2026

- VR249産業用安全PMICの構成、テスト、プログラミング用のソケット付き評価キットです。

Texas Instruments SK-TDA4VMエッジAI Vision 用プロセッサスターターキット

09/01/2026

- ロボット、スマートカメラ、インテリジェントマシンの稼働用に設計されており、素早く設定ができます。

NXP Semiconductors KITVR249AEEVM評価キット

09/01/2026

- VR249産業用安全PMICの構成、テスト、プログラミング用のはんだ付け評価キットです。

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules

09/01/2026

- Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.

NXP Semiconductors VR249産業用安全PMIC

09/01/2026

- 低電力MCU向けのSIL 2サポートを備えた高電圧産業用安全PMICです。

Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)

09/01/2026

- High-performance RISC-V SoC with integrated media processing, HMI, and security capabilities.

Infineon Technologies PROFET™ スマートハイサイドスイッチ評価ボード

08/31/2026

- PROFET™ スマートハイサイドスイッチの評価用に設計されています。

IXYS SK002xSx高感度SCR

08/27/2026

- マイクロプロセッサドライブに対応し、高いノイズ耐性を備えた高感度SCR。

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