EPCOS / TDK スリムライン過渡電圧サプレッサダイオード

TDKスリムライン過渡電圧サプレッサ（TSV）ダイオードは、1つのI/Oラインに対して双方向の静電気放電（ESD）保護を提供します。これらのデバイスは、低クランピング電圧、低漏洩電流、高速応答時間が特徴です。超低容量によって、USB 3.1、HDMI、Displayport、Thunderboltといった要求の厳しい高速インターフェイスを対象とした優れたシグナル・インテグリティが実現します。TDKスリムラインTSVダイオードは、汎用タイプと超低クランプタイプがあり、SMDパッケージを採用し、-40°C～+125°Cの広い周囲温度範囲に対応しています。これらのTVSダイオードは、スマートフォン、真のワイヤレスイヤフォン、スマートウォッチ、およびスペース要件の厳しい多くのウェアラブルアプリケーションに最適です。

特徴

B74121G0050M060 (汎用)
- WL-CSP0201ケース
- 寸法 0.6mm x 0.3mm x 0.15mm
- +5V最高逆方向作動電圧(V_RWM)
- 6V～8V破壊電圧(V_BR)
- 2nA標準逆方向漏れ電流 (I_LEAK)
- I_TLP = 8Aで7.2Vクランピング電圧 (V_C1)
- I_TLP = 16Aで8.0Vクランピング電圧 (V_C2)
- 45A最大TLP電流(I_TLP)
- 10パルスで15kV最大ESD (V_ESD)
- 動的抵抗 0.10Ω
- 1MHz（C_J）で12pF接合部容量
- 8Aピーク電力電流(I_PP)
B74121G1160M160(汎用)
- WL-CSP0201ケース
- 寸法 0.58mm x 0.28mm x 0.15mm
- IEC 61000-4-2に準拠した15kVまでの高いESD保護性能
- 16V最高逆方向作動電圧(V_RWM)
- 17.5V～21V破壊電圧(V_BR)
- 非常に低い漏洩電流: <1nA（標準）逆漏洩電流(I_LEAK)
- 22.8Vクランピング電圧@ I_TLP = 8A (V_C1)
- I_TLP = 16A（V_C2）で25.4Vクランピング電圧
- 動的抵抗 0.30Ω
- 1MHz、16Vで5.5pFの低容量（標準）
B74111G0050M060 (汎用)
- WL-CSP01005ケース
- 寸法 0.4mm x 0.2mm x 0.10mm
- +5V最高逆方向作動電圧(V_RWM)
- 6V～8V破壊電圧(V_BR)
- 2nA標準逆方向漏れ電流 (I_LEAK)
- I_TLP = 8Aで7.6Vクランピング電圧 (V_C1)
- I_TLP = 16Aで8.9Vクランピング電圧 (V_C2)
- 25A最大TLP電流 (I_TLP)
- 10パルスで15kV最大ESD (V_ESD)
- 動的抵抗 0.17Ω
- 1MHz（C_J）で12pF接合部容量
- 4Aピーク電力電流(I_PP)

B74111U0033M060 (超低クランプ)
- WL-CSP01005ケース
- 寸法 0.4mm x 0.2mm x 0.10mm
- +3.3V最高逆方向作動電圧(V_RWM)
- 6.3V標準破壊電圧(V_BR)
- 1nA標準逆方向漏れ電流(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1) の場合に3.8Vクランピング電圧
- I_TLP = 16A (V_C2) の場合に5.0Vクランピング電圧
- 10パルスで15kV最大ESD (V_ESD)
- 動的抵抗 0.15Ω
- 1MHz（C_J）の場合に0.48pF接合部静電容量
- 7Aピーク電力電流(I_PP)
B74121U0033M060 (超低クランプ）
- WL-CSP0201ケース
- 寸法 0.6mm x 0.3mm x 0.15mm
- +3.3V最高逆方向作動電圧(V_RWM)
- 6.3V標準破壊電圧(V_BR)
- 1nA標準逆方向漏れ電流(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1) の場合に3.8Vクランピング電圧
- I_TLP = 16A (V_C2) の場合に5.2Vクランピング電圧
- 10パルスで15kV最大ESD (V_ESD)
- 動的抵抗 0.10Ω
- ジャンクション静電容量（CJ）1MHz時に0.65pF
- 7Aピーク電力電流(I_PP)
B74121G0160M060 (汎用)
- 最大16Vの作動電圧
- IEC 61000-4-2に準拠したESD保護、VESD、最大=10kV
- V_{clamp (標準値)} = 24V（ITLP = 8Aの低クランプ電圧時）
- I_{leak (標準値)} = 1nA（16Vの超小漏れ電流時）
- C_(標準値) = 5pF（1MHzの低キャパシタンス時）
B74121U0055M060/B74111U0055M060
- 最大5.5Vの最大DC電圧
- USB 2.0データバス USB-C™ (D+/D-)
- 低クランプ電圧 ITLP 8A時に3.8Vおよび4V
- ESD放電電圧最大15kV
- 静電容量値最大0.48pF
- WLCSP 01005およびWLCSP 0201コンパクトパッケージ
- 100µmまたは150µmという極めてフラットな高さ