Infineon Technologies EiceDRIVER™1200V 高圧側&低圧側ドライバ
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1200Vハイサイドおよびローサイドドライバは、アクティブミラークランプと短絡クランプを備えたハーフブリッジ型ゲートドライバです。これらのゲートドライバは、最大阻止電圧1200VのIGBTまたはSiC MOSFETパワーデバイスの制御に使用します。SOI技術を搭載したこれらのドライバは、過渡電圧に対する優れた耐久性を備えています。EiceDRIVER™ 1200Vゲートドライバの堅牢な設計は、動作温度と電圧範囲にわたって寄生ラッチアップから保護します。これらのドライバは、天井ファンモータ制御およびドライブソリューション、暖房、換気、空調（HVAC）、産業用モータドライブ および制御、住宅用ヒートポンプに適しています。
特徴
- 独自の薄膜シリコン・オン・インシュレータ（SOI）技術
- ブーストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル
- 最大1225Vのブートストラップ電圧（VBノード）
- 最大1200Vの動作電圧（VSノード）
- 100V 負のVS過渡電圧耐性
- 反復700nsパルスあり
- ピーク出力ソース/シンク電流能力 2.3A/2.3A
- 超高速過電流保護（OCP）内蔵
- ±5%の高精度リファレンス閾値
- 1μs未満の過電流センスから出力シャットダウン
- シンク電流2A対応のアクティブミラークランプ（AMC）内蔵
- 短絡クランプ（SCC）機能内蔵
- 超高速・低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵
- デッドタイム、シュートスルー防止ロジックを内蔵（2ED1324S12P）
- イネーブル、フォールト、プログラマブルフォールトクリアRFE入力
- VS pinで最大-8Vの論理動作
- チャネルごとに独立した低電圧誤動作防止機能（UVLO）
- 最大電源電圧: 25V VCC
- ロジック（VSS）と出力グランド（COM）を分離
- クリアランス/沿面5mm以上
- 2kV HBM ESD機能
仕様
- VS_OFFSET = 1200V（最大）
- Io+ / Io- =2.3A/2.3Aピーク
- VCC =13V～20V（標準）
- 伝搬遅延 = 標準500ns
- デッドタイム = 標準380ns
アプリケーション
- シーリングファンモータ制御・ドライブソリューション
- 過熱、換気、空調（HVAC）
- 工業モーターの駆動と制御
- 住宅用ヒートポンプ
標準アプリケーションの回路図
2ED1324S12Pのブロック図
その他の資料
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公開: 2023-05-16
| 更新済み: 2024-12-06