Infineon Technologies 1EDN71x6U 200V高圧側TDIゲートドライバ

Infineon Technologies 1EDN71x6U 200VハイサイドTDIゲートドライバは、シングルチャンネルゲートドライバICで、Infineon CoolGaN™ ショットキーゲートHEMT、ならびにその他のGaN SG HEMTおよびSi MOSFETの駆動を目的に最適化されています。このゲートドライバには、トゥルーリ―ディファレンシャルインプット、4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプをはじめとして、GaN SG HEMTを活用した高性能システム設計を可能とする、複数の主要な機能が搭載されています。

特徴

  • GaN SG HEMTおよびSi MOSFETの駆動を目的に最適化
  • ローサイドまたはハイサイド動作での誤ったトリガを防止する完全差動ロジック入力回路
  • ハイサイド動作のための最大±200Vの高コモンモード入力電圧範囲(CMR)
  • 高速スイッチング時の堅牢な動作を目的とした、コモンモード電圧遷移(100V/ns)に対する高い耐性
  • 3.3Vまたは5V入力ロジックとの互換性あり
  • 外部ゲート・レジスタを必要としないスイッチング速度を最適化するための4つの駆動強度のバリアント - 最大2Aソース/シンク電流能力
  • デッドタイム時のブートストラップ・コンデンサの過充電を防止するアクティブブートストラップ・クランプ
  • 誘導ターンオンを防止する5Aシンク能力が備わったアクティブミラークランプ
  • JEDEC47/20/22に関連する試験に基づいた産業用アプリケーション向け認定済

アプリケーション

  • ハーフブリッジ(2 x 1EDN71x6U)
    • DC/DCコンバータ
    • BLDC/PMSMモータドライブ
    • Class-Dオーディオ・アンプ
    • Class-D共振ワイヤレス電力
  • シングルチャンネル
    • 同期整流器
    • Class-E共振ワイヤレス電力

機能ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies 1EDN71x6U 200V高圧側TDIゲートドライバ
公開: 2022-10-19 | 更新済み: 2025-03-24