Infineon Technologies 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED210x小電流0.7Aドライバは、シリコンオンインシュレーター（SOI）テクノロジーに基づいています。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。高度プロセスによって、モノリシック高電圧および低電圧回路の構築が可能になり、テクノロジーが強化されたメリットが得られます。

特徴

最高+650Vまでの動作電圧（VSノード）
100Vの負のVS過渡耐性
統合超高速・低抵抗ブートストラップダイオードで、BOMコストを低減
ブーストラップ動作用に設計された浮動チャンネル
25Vの最高供給電圧
両方のチャンネル向けの独立型低電圧ロックアウト

200ns伝播遅延
HIN、LINロジック入力
VSピンで最大–11Vのロジック動作
–5V入力での負の電圧許容差
浮動チャンネルを使用して、高圧側構成においてNチャンネルMOSFET、SiC MOSFETまたはIGBTを駆動できます。

アプリケーション

モータ制御とドライバ
軽電気自動車（LEV）
マルチコプタ、ドローン
スイッチドモード電源（SMPS）
無停電電源（UPS）
電力ツール

サービスロボット
家庭用電化製品
LED照明
EV充電
バッテリ形成

ビデオ

ブロック図

代表的なアプリケーション

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

その他の資料

公開: 2019-12-03 | 更新済み: 2024-02-12