特徴
- 低導通損失を目的に最適化されたVCEsat 、およびVF
- 低EMIレベルにつながるスムーズなスイッチング性能
- 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
- 1kHz~20kHzの動作範囲
- 175°Cの最大接合部温度
- 5μsの短絡性能
- パッケージサイズ性能に対するベストインクラスの電流
- ターゲットアプリケーションに関するJEDEC承認済
- 鉛フリーメッキ加工:RoHS準拠(PG-TO252:はんだ 温度260°C、MSL1)
アプリケーション
- コンシューマー用モータドライブ
- コンプレッサ
- ポンプ
- ファン
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| IKD15N60RATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A |
| IKD10N60RFATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT PRODUCTS |
| IKD10N60RATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A |
| IKD15N60RC2ATMA1 | ![]() |
IGBT 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
| IKD06N60RFATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT PRODUCTS |
| IKD04N60RFATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
| IKD04N60RC2ATMA1 | ![]() |
IGBT 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
| IKD04N60RATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
| IKD06N60RATMA1 | ![]() |
IGBT IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A |
| IKD06N60RC2ATMA1 | ![]() |
IGBT 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
公開: 2020-03-09
| 更新済み: 2024-10-08


