Infineon Technologies BGA855N6低ノイズRFアンプ

Infineon Technologies BGA855N6低ノイズRFアンプは、1164MHz〜1300MHzの周波数範囲内で動作するLバンド・アプリケーションのGNSS信号感度を向上させます。このアンプは、GPS L2/L5、Galileo E5a、E5b、E6、Glonass G3、G2、Beidou B3、B2バンドをカバーしています。BGA855N6アンプは、17.7dB挿入電力ゲイン、低電流消費、高直線性性能、内部整合されたRF出力精度が特徴です。BGA855N6の高直線性性能によって、4G・5G NSA構成での最高クラスの感度が確保されています。このアンプは、Infineon TechnologiesのB9HFシリコン・ゲルマニウム・テクノロジに基づいており、1.1V～3.3Vの供給電圧で動作します。