Infineon Technologies ゲイン制御を備えたBGAx1A10 LTE LNA

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE低ノイズアンプ（LNA）はゲイン制御を備え、データレートを大幅に改善するために設計されています。これらBGAx1A10 LNAは、ゲイン制御搭載しており、バイパス機能、高いシステムの柔軟性、27dBゲインダイナミックレンジ、低ノイズ指数を実現しています。バイパス・モードの電流消費を削減し、業界のモバイルプロセッサ・インターフェース（MIPI）制御インターフェイス制御ラインを最小限に低減します。このBGAx1A10 LNAにより、高ゲイン機能による高いLTEデータレートおよび統合ゲイン制御によるより高いシステムの柔軟性を実現しています。これらのBGAx1A10 LNAは、高ゲインモードで最高のノイズ指数を備え、LTEセルエッジでも高データレートを保証します。このBGAx1A10 LNAは、スマートフォンでの使用に理想的です。