Infineon Technologies CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

lInfineonは、ゲートドライバIC - EiceDRIVER™の包括的なポートフォリオを提供しており、MOSFET、Kelvin-ソースMOSFET、GaN HEMTのような、さまざまなスイッチング・タイプの広範なアプリケーション向けに最適化されています。

C7 & C7 Gold (G7)

Infineon CoolMOS C7 MOSFETは、レコードレベルの効率性能を目的に設計されており、従来のCoolMOSシリーズおよび競合他社と比較して、ハードスイッチング・アプリケーションにおける負荷範囲全体で実質的な効率上の利点を提供します。C7 MOSFETは、低R_DS(on)/パッケージにおける技術進歩であり、その低スイッチング損失によって負荷範囲全体で効率が改善されます。C7 MOSFETは、ソーラ、サーバ、テレコム、UPSのようなアプリケーションにおいて、力率補正（CCM PFC）、2つのトランジスタ順方向（TTF）、ソーラーブースト向けに最適化されています。

Infineon CoolMOS C7 MOSFETの詳細

Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) MOSFETは、新しいSMD TO-Leadless（TOLL）パッケージに格納されており、Kelvinソースの概念が採用されています。G7 MOSFETには、改善された600Vおよび650V CoolMOS G7技術、4ピンKelvinソース機能、TO-リードレスパッケージの改善された熱特性が組み合わされています。これにより、3kWまでの力率改善回路（PFC）のような大電流のハードスイッチングトポロジに対するSMDソリューションが可能となります。600V CoolMOS G7 MOSFETには、ハイエンドのようなLLC共振回路に使用できます。

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Infineon CoolMOS G7 MOSFET

CFD7

Infineon CoolMOS CFD7 MOSFETには、高電圧スーパージャンクションMOSFET技術が備わっており、統合高速ボディダイオードがあります。CFD7 MOSFETは、サーバ、テレコム、EV充電ステーションといったハイパワーSMPSアプリケーションでの共振トポロジに最適な選択です。CFD7は、他のMOSFETと比較してゲート電荷（Qg）の削減、たターンオフ動作の改善、最大69％の逆回復電荷（Qrr）が実現しています。また、CFD7には、市場で最も低い逆回復時間（trr）の1つです。これらの機能によってCoolMOS CFD7は、ソフトスイッチング・トポロジにおいてベストインクラスの信頼性と高効率を達成しています。アプリケーションには、LLCおよびZVS位相シフト完全ブリッジがあります。さらに、CoolMOS™ CFD7によって、その最適化されたR_DS(on)のおかげでより高い電力密度が可能です。

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Infineon CoolMOS CFD7 MOSFET

P7

Infineon CoolMOS P7 MOSFETを実現しており、さまざまなアプリケーションの課題に対処できます。700Vおよび800V CoolMOS P7パワーMOSFETは、アダプタや充電器、照明、オーディオ用スイッチング電源、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション用に開発されました。600V CoolMOS P7パワーMOSFETは、低消費電力だけでなくソーラーインバータ、サーバ、テレコム、EV充電スタンドといったハイパワーSMPSアプリケーションをターゲットにしています。P7 MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチング・トポロジ向けに完全に最適化されています。

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Infineon CoolMOS P7 MOSFET