Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) パワーMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ G7 Gold(G7)パワーMOSFETは、新しいSMD TO-Leadless(TOLL)パッケージに格納されており、Kelvinソースのコンセプトが採用されています。G7 MOSFETには、改善された600V / 650V CoolMOS™ G7技術、4ピンKelvinソース機能、TO-リードレスパッケージの改善された熱特性が組み合わされています。これによってSMDソリューションは、最大3kWの力率補正(PFC)のような大電流ハードスイッチングトポロジを対象とすることができます。600V CoolMOS™G7では、MOSFETはハイエンドLLCのような共振回路に使用できます。

CoolMOS™ G7技術には、低RDS(on)のおかげでより高い効率性、さらなる高速スイッチング、改善された電力密度が備わっています。G7は小型フットプリントに格納されており、組立時間の高速化によって生産コストが削減されます。

特徴

  • ベストインクラスのFOM RDS(on) x EOSS、RDS(on)x QG
  • 最小フットプリントでの、ベストインクラスのRDS(on)
  • 内蔵4ピンKelvinソース構成、低寄生ソースインダクタンス(〜1nH)
  • MSL1準拠、無鉛、目視検査が簡単になる溝付きリード線あり
  • 改善された熱性能Rthを実現
  • Kelvinソースによって寄生ソースインダクタンスが削減され、スイッチング効率の向上と使いやすさが実現
  • TOLLパッケージは使い勝手がよく、最高クラスの品質基準
  • 改良されたサーマルによってSMD TOLLパッケージは、これまで可能だった電流より高い電流設計で使用可能
  • 650V G7: 従来の650V CoolMOS™C7より効率が14%優れており、さらなる高効率を実現するFOM RDS(on)x QG
  • 600V G7: 従来の650V CoolMOS™C7より効率が16%優れており、さらなる高効率を実現するFOM RDS(on)x QG
  • 650V G7: 115mm2 TOLLフットプリントでのベストインクラス33mΩの電力密度
  • 600V G7: 115mm2 TOLLフットプリントでのベストインクラス28mΩの電力密度

アプリケーション

  • テレコミュニケーション・インフラ
  • サーバー
  • ソーラー
  • 産業SMPS
公開: 2018-04-11 | 更新済み: 2024-08-08