Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SIC Trench MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 1,200V SiCトレンチMOSFETは、炭化ケイ素の強力な物理的特性と、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を兼ね備えています。CoolSiC 1,200V SiCトレンチMOSFETは、最先端のトレンチ半導体プロセスで構築されており、 最低レベルのアプリケーション損失と動作における最高レベルの信頼性を発揮するように最適化されています。高温および過酷環境での動作に適したこれらのデバイスを使用すると、最高レベルのシステム効率の簡素化された費用対効果の高い展開が可能になります。
CoolSiC™ 1,200V SiCトレンチMOSFETは、コンパクトなTO-247-3、およびTO-247-4パッケージに収められています。TO-247-4パッケージには、ゲート駆動電圧のリファレンス電位として使用されるソースへの追加接続（Kelvin接続）が搭載されており、ソースインダクタンス全体での電圧降下の影響が排除されます。その結果、特に高電流やスイッチング周波数において、TO-247-3バージョンよりも低いスイッチング損失がもたらされます。
特徴
- 超低スイッチング損失
- 無閾値オン状態特性
- 広いゲート源電圧範囲:
- ベンチマークゲート閾値電圧、VGS (th) = 4.5V
- 0Vターンオフゲート電圧
- 完全に制御可能なdV/dt
- 同期整流にすぐに対応できる堅牢な整流整流ダイオード
- 温度に依存しないターンオフ・スイッチング損失
- 優れたゲート酸化物信頼性
- ベスト・イン・クラスのスイッチング損失と導通損失
- IGBT互換駆動（+15V）
- 閾値電圧、Vth > 4V
- 短絡耐性
- 冷却作業を軽減するための最高レベルの効率
- さらに長い耐用年数と高い信頼性
- 高周波数動作
- システムコストの削減
- 増大した電力密度
- システムの複雑さを軽減
- 設計と実装が簡単
アプリケーション
- 太陽光発電インバータ（PV）
- エネルギー貯蔵とバッテリ充電
- 無停電対応電源（UPS）
- スイッチモード電源（SMPS）
- 工業用ドライブ
- 医療用
開発ツール
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