Infineon Technologies PROFET™+ 2保護ハイサイド・パワースイッチ

Infineon Technologies PROFET™+ 2保護ハイサイド・パワースイッチは、最先端の診断と保護機能を実現しています。PROFET+2スイッチは、PG-TSDSO-14露出パッド・パッケージに格納されており、0.65mmのピン間隔になっていて、2x8mΩの最低RDS(ON)が備わっています。PROFET+ 2ファミリは、市場で最も厳しいリバースバッテリ要件に対応しています。このスイッチには、シングルチップ製品には初となるReverSave™を搭載しており、逆極性の場合にパワートランジスタをオンにします。

特徴

  • 基本的特長
    • 診断と組み込み保護が搭載されているハイサイドスイッチ
    • PROFET TM+2ファミリの一部
    • 逆極性での低消費電力損失向けReverSave™
    • 逆電流(InverseON)状態でのスイッチオン機能
    • 環境配慮型製品(RoHS準拠)
    • AEC Q100 Grade 1に準じた認定

  • 保護機能
    • 制御された再起動による絶対および動的温度制限
    • インテリジェント再起動制御による過電流保護(トリップ)
    • 低電圧シャットダウン
    • 外付け部品を用いた過電圧保護

  • 診断機能
    • 比例負荷電流検出
    • ONおよびOFF状態でのオープン負荷
    • 接地とバッテリに対する短絡

アプリケーション

  • 抵抗性、誘導性、容量性負荷に最適
  • 電気機械式リレー、ヒューズ、ディスクリート回路に取って代わる
  • 6.5 A負荷およびH7 55W / Xenon 55WランプまたはLED同等品といった高突入電流負荷に適した駆動能力

ビデオ

アプリケーション図

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies PROFET™+ 2保護ハイサイド・パワースイッチ

ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies PROFET™+ 2保護ハイサイド・パワースイッチ
公開: 2018-04-03 | 更新済み: 2025-12-15