Infineon Technologies REF-VACUUM-C101-2EDリファレンス設計

Infineon Technologies REF-VACUUM-C101-2EDリファレンス設計は、IMC101T iMOTION™モータ制御IC、2ED2304 EiceDRIVER™ SOIハーフブリッジ・ゲートドライバ、BSC030N04NS OptiMOS™高速スイッチングMOSFETが特徴です。このリファレンス設計は、Infineonの薄膜SOI (Silicon on Insulator) と高度動き制御エンジン (MCE 2.0) テクノロジーを実証します。これは、低電圧、永久磁石モータドライブ（最速スピード120KRPM）、30V、25Aのインバーターセクション定格を対象としています。また、REF-VACUUM-C101-2EDリファレンス設計は、掃除機、ファン、ポンプ、コンプレッサ、および他の低電圧モータドライブアプリケーションのような主要な低電圧家電を対象に最適化されています。

特徴

REF-VACUUM-C101-2EDリファレンス設計
- 入力電圧18V_DC～30V_DC
- 24V_DC電源入力で最大25A 600W（オンボード冷却ファン搭載）
- 逆接続防止保護
- VSPスピード・コマンド・ポテンショメータ
- 3デジタル・ホール・インターフェイス
- ユーザーUART（スクリプト機能用）
- 過電流および過熱保護
- 障害診断LED出力
- 低ノイズ・シングルシャント電流サンプル
- 補助電源（12V、3.3V）
- PCBの寸法: 60mm x 115mm、1oz銅、2層PCB（または冷却ファンを取り外すことで60mm x 63.5mm）
- RoHS準拠
2ED2304 EiceDRIVER SOIハーフブリッジ・ゲートドライバ
- Infineon薄膜SOIテクノロジー
- +650Vのオフセット電圧まで完全に動作可能
- 集積超高速、低R_DS(ON)ブートストラップ・ダイオード
- 出力ソース/シンク電流能力+0.36A/‐0.7A
- SOI技術によって付与される最高-100V（パルス幅は最高300ns）までの負の過渡電圧に対する耐性
- 10V〜20Vのゲート駆動供給範囲
- 両方のチャンネル向けの独立型低電圧ロックアウト
- 短い伝播遅延と遅延マッチング（最大60ns）
- ヒステリシスおよびプルダウンによるシュミットトリガ入力
- 3.3V、5V、15V入力ロジック互換

IMC101T iMOTIONモータ制御IC
- 高度集積ソリューション（インバータ駆動用）
  - 集積されているすべてのデジタルおよびアナログコンポーネント
  - 外付けOPアンプやコンパレータが不要
  - 3.3Vまたは5V供給
- 次世代のモーション制御エンジン（MCE 2.0）
  - 高効率・正弦波モータ制御のための現場で実証された計算エンジン
  - シングルまたはレッグシャント
  - センサレスまたはオプションのホールサポート
  - 柔軟性に富んだホスト・インターフェイス/制御オプション
- 統合保護機能
- 柔軟性に富んだパラメータ処理による複数のモータサポート
BSC030N04NS OptiMOS高速スイッチングMOSFET
- 優れたゲート電荷 x R_DS(ON)積（性能指数）
- 非常に低いオン抵抗R_DS(ON)
- 高速スイッチングアプリケーションに最適
- RoHS準拠、ハロゲンフリー