Infineon Technologies 共振ワイヤレス充電 - コンシューマ・アプリケーション

Infineon Technologies共振ワイヤレス充電 - 民生用アプリケーションは、電力伝送トポロジにおける高速スイッチングをリードしています。ゲート充電時間の最良性能指数（FOM）、R_DS（on）、Cossによって、6.78MHzのインバータ設計が可能になります。卓越したパワーMOSFET技術は、特にClass Dインバータ設計を対象とした30-10V領域およびClass Eインバータ設計での150-250V電圧等級での周波数スイッチング実装に対応できます。

Infineonのワイヤレス充電ソリューションの強度は、モジュラ・ソフトウェアベースのアーキテクチャに見られます。「最もクールな」ドライバIC、およびポートフォリオのClass E実装向けローサイド・ドライバ、ならびにXMC™ - ARM® Cortex®-M0コアに基づいたSCワイヤレス電力コントローラで、Infineonは、高性能かつスマートで安全なワイヤレス充電アプリケーションのためのパワフルで費用対効果の高いプラットフォームを実現しています。プリレギュレータ（バックまたはバック/ブースト）を使用したアンプの入力電圧を制御するトランスミッタ設計の場合、OptiMOS™ソリューションは、20〜400V MOSFETセクションで使用できます。

システム図: 共振ワイヤレス充電 - Class D、フルブリッジ

共振システム要件のトポロジ

ソリューション・パーツを表示

窒化ガリウム（GAN）およびワイヤレス充電

その技術提供に窒化ガリウムを追加することで、Infineonは、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）のようなワイド・バンドギャップを対象としたスーパージャンクションMOSFET、スルー・ディスクリートIGBT、モジュールといったシリコン（Si）からすべての電力技術を習得するという独自の立場にあります。

CoolGaN™は、明日のワイヤレス電力設計ニーズを満たし、それを超過するように設計されており、全体的なシステム性能を最大化します。（例えば AirFuel Allianceワイヤレス充電規格で要求される6.78 MHzといった）寄生容量が大幅に減少したおかげで、MHz範囲における周波数でのスイッチングに最適な選択です。

Infineonは、CoolGaN™を使用して、魅力的な全体システム・コストで堅牢で信頼性の高いシステムを実現できる、業界を代表するフィールド性能が備わっているGaNエンハンスメント・モード高電子移動度トランジスタ（eモードHEMT）ポートフォリオを立ち上げました。GaNスイッチ性能は、シリコンFETオプションと比較して逆導通での低ゲート電荷および優れた動的性能が特徴です。これによって、既存の周波数でのさらに効率的な動作、大幅に高い周波数での動作が可能になり、受動部品のサイズを縮小することで電力密度を向上できます。

COSSは、さらなる高周波数のワイヤレス電力転送システムにおける重要な設計ファクタです。また、CoolGaN™ 600V eモードHEMTは、特に30W以上のClass Eアンプでの最適な調整を実現できます。数多くの他の製品の中でさらなる高電力Class E設計を対象としたCoolGaN™ 600Vを使用するメリットは、堅牢性、品質、信頼性、非常に低いゲート・ドライバ損失、同等のシリコンMOSFETに比べて低いQG、低VDSでの大幅な増加がないほぼ線形のCOSSと言うことができ、広い負荷インピーダンス範囲でのZVS動作が可能になります。

さらなるGaN製品（追加の電圧クラスを含む）がパイプラインにあり、まもなく市場に登場します。