Infineon Technologies StrongIRFET™ 2パワーMOSFET 30V
インフィニオン (Infineon) StrongIRFET™ 2 30V パワーMOSFETは、低周波および高周波のスイッチング周波数に最適化されており、柔軟な設計を可能にします。これらのデバイスは、優れた堅牢性を備えながら、システム全体のパフォーマンス向上のために高い電力効率を提供します。電流定格の増加により、高い通電能力が得られるため、複数のデバイスを並列接続する必要がなくなり、BOMコストの削減と基板の節約につながります。代表的なアプリケーションには、スイッチモード電源(SMPS)、 モータ駆動、 バッテリ駆動機器、 バッテリ管理、 無停電電源装置(UPS)、軽電気自動車、電動工具、園芸工具、アダプタ、およびコンシューマアプリケーションなどがあります。特徴
- 幅広い用途に最適化
- Nチャンネル、 ロジック レベル
- 高、低スイッチング周波数に最適
- 業界標準フットプリントのスルーホール PG‑TO252‑3パッケージ
- 大電流定格
- 100% アバランシェテスト済み
- +175°C 評価済
- 鉛フリー鉛メッキ
- RoHS準拠
- IEC61249-2-21に基づきハロゲンフリー
アプリケーション
- UPS
- アダプター
- モータドライブ
- バッテリ管理
- 軽電気自動車
- 電源管理(SMPS)
- バッテリ駆動アプリケーション
仕様
- ドレイン・ソース破壊電圧:30V
- ゲート・ソース間電圧 20V
- ゲート・ソース間閾値電圧:2.35V
- 連続ドレイン電流範囲:71A~143A
- オンドレインソース抵抗範囲:2.05mΩ~4.7mΩ
- 下降時間範囲:6.4ns~11ns
- 立ち上がり時間範囲 10ns~24ns
- 標準ターンオン遅延時間範囲:11ns~20ns
- 標準ターンオフ遅延時間範囲:10ns~25ns
- 最小順方向トランスコンダクタンス範囲:45S~100S
- 電力損失範囲:65W~136W
- 動作温度範囲: -55°C~+175°C
公開: 2024-11-05
| 更新済み: 2025-09-24
