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MSCSM330DUM07CD3NG

Name: Microchip MSCSM330DUM07CD3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM330M07CD3NG
Price: 163432 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

579-MSCSM330M07CD3NG

メーカ番号：

MSCSM330DUM07CD3NG

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

MSCSM330DUM07CD3NG データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	HV-D3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	3.3 kV
Id - 連続ドレイン電流:	295 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.7 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1.918 kW
ブランド:	Microchip Technology
下降時間:	98 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	65 ns
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間:	405 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	127 ns
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	3.3 kV

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原産国:: 入手不可
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

HV-D3 mSiC® Power Modules

Microchip Technology HV-D3 mSiC^® Power Modules simplify and accelerate the adoption of Solid-State Transformers (SSTs) in AI hyperscale data centers and other high-voltage power applications. These high-efficiency power modules integrate 3.3kV Silicon Carbide (SiC) mSiC MOSFETs and Schottky diodes in an industry-standard 62mm package. This design construction enables efficient power delivery from medium-voltage grids directly to server racks. The HV-D3 modules deliver low switching losses, strong thermal performance, and high power density for demanding applications. Typical applications for Microchip Technology HV-D3 mSiC power modules include power transmission and distribution, industrial power, data centers, marine and aerospace, Electric Vehicle (EV) infrastructure, and renewable energy systems.