GaNEXUS™ GaN FET

オンセミ (onsemi)GaNEXUS™窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET) は、GaN のワイドバンドギャップ材質特性を利用して、高速スイッチング、低ゲートおよび出力充電、そしてシリコン電力トランジスタと比較して強化された効率性を実現します。これらの機能により、低電圧、中電圧、高電圧、超高電圧の電力変換アプリケーションにおいて、より高い動作周波数、電力密度の向上、および磁気成分の低減が可能になります。エンハンスメントモードのディスクリートGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、40Vから650Vまでの電圧範囲を提供し、信頼性を向上させ、システム統合を簡素化するための統合保護を備えた650VGaNEXUSスマートGaN FETも含まれています。オンセミ (onsemi)ガネクサスファミリの理想的な用途には、産業用オートメーション、ロボット工学、AIデータセンター、自動車電化、およびエネルギーインフラストラクチャが含まれます。