MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
1,988予想2027/02/19
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p 861在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 123在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa 631在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 916在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 903在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 127在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead 68在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
996取寄中
最低: 1
複数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1,950予想2026/08/17
最低: 1
複数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
2,000予想2027/01/07
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 600
複数: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 リードタイム 24 週間
最低: 1
複数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8