HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
データシート
60在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 N-CH 55V 90A
データシート
190在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
データシート
89在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.44 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
データシート
5,435取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
データシート
9,024取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
データシート
9,182取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
データシート
1,768予想2027/02/15
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
データシート
4,680取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
10在庫
1,410取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
データシート
2,639取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
データシート
375予想2027/01/04
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
データシート
191予想2026/11/09
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 18A
データシート
2,193取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 26A
データシート
900予想2027/01/25
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
データシート
330予想2027/03/08
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
データシート
300予想2026/11/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
データシート
278予想2026/09/22
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
データシート
298予想2027/01/18
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
データシート
350予想2026/11/25
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
データシート
300予想2026/11/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
データシート
280予想2026/12/23
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
データシート
272予想2026/09/09
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
データシート
282予想2026/11/23
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
データシート
592予想2026/09/22
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube