HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET 160Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 8 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench T2 Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 440 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 250V 86A N-CH TRENCH
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 250 V 86 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 3 V - 55 C + 150 C 540 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 96 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 595 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5 N-Channel 2 Channel 100 V 200 A 7.4 mOhms - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 40V
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 58 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id130 BVdass100
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 0V
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 140 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 40V
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTP170N13X4
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement HiPerFET Tube