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STMicroelectronics SiC MOSFET

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結果: 54

適用されたフィルタ:

製造元 = STMicroelectronics

取り付け様式

パッケージ/ケース

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

認証

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	認証
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A SCT019HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,491.4 1在庫 600予想2027/07/23 新製品	メーカ部品番号 SCT019HU120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT019HU120G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets についての詳細を表示	データシート	1在庫 600予想2027/07/23	カットテープ ¥3,491.4 ¥2,607.8 ¥2,255.6 リール ¥2,136	最低： 1 複数： 1 : 600														AEC-Q100
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,699 1,271在庫	メーカ部品番号 SCT020HU120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,271在庫	カットテープ ¥3,699 ¥2,762.2 ¥2,390.2 リール ¥2,262.3 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥4,037.9 558在庫	メーカ部品番号 SCT012W90G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	558在庫	¥4,037.9 ¥3,232.3 ¥2,795.5 ¥2,647.6 見積り見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥4,604.3 443在庫	メーカ部品番号 SCT015W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	443在庫	¥4,604.3 ¥3,685.8 ¥3,187.5 ¥3,018 見積り見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,325.3 181在庫 600取寄中	メーカ部品番号 SCT020W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	181在庫 600取寄中	¥3,325.3 ¥1,969.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,260.6 460在庫 1,000取寄中	メーカ部品番号 SCT027H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	460在庫 1,000取寄中	カットテープ ¥2,260.6 ¥1,285.6 ¥1,282.3 リール ¥1,212.5	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥2,348.7 187在庫	メーカ部品番号 SCT027W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets についての詳細を表示	データシート	187在庫	¥2,348.7 ¥1,573 ¥1,458.4 ¥1,240.8	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,205.8 841在庫	メーカ部品番号 SCT040H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	841在庫	カットテープ ¥2,205.8 ¥1,642.7 ¥1,370.3 ¥1,220.8 リール ¥1,139.4	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥2,323.7 629在庫 600予想2027/07/30	メーカ部品番号 SCT040W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets についての詳細を表示	データシート	629在庫 600予想2027/07/30	¥2,323.7 ¥1,770.6 ¥1,475 ¥1,315.5 ¥1,227.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ¥1,875.3 457在庫	メーカ部品番号 SCT040W65G3-4 Mouser 部品番号 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	457在庫	¥1,875.3 ¥1,024.8 ¥938.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥2,205.8 429在庫	メーカ部品番号 SCT040W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	429在庫	¥2,205.8 ¥1,642.7 ¥1,370.3 ¥1,220.8 ¥1,139.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥1,669.3 1,394在庫	メーカ部品番号 SCT055TO65G3 Mouser 部品番号 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	1,394在庫	カットテープ ¥1,669.3 ¥1,139.4 ¥940.1 ¥837.1 ¥784 リール ¥784	最低： 1 複数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,147.6 43在庫 600取寄中	メーカ部品番号 SCT025W120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	43在庫 600取寄中	¥3,147.6 ¥1,958.3 ¥1,837.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥2,292.2 20在庫 1,200取寄中	メーカ部品番号 SCT070W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet についての詳細を表示	データシート	20在庫 1,200取寄中	¥2,292.2 ¥1,531.4 ¥1,440.1 ¥1,292.3 ¥1,214.2	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,185.9 525在庫 1,000予想2027/07/02	メーカ部品番号 SCT040H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	525在庫 1,000予想2027/07/02	カットテープ ¥2,185.9 ¥1,629.4 ¥1,357 ¥1,209.2 リール ¥1,131.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,734 6在庫 1,000予想2027/09/24	メーカ部品番号 SCT018H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	6在庫 1,000予想2027/09/24	カットテープ ¥2,734 ¥1,639.4 リール ¥1,531.4 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,325.3 3在庫 1,200取寄中	メーカ部品番号 SCT025W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	3在庫 1,200取寄中	¥3,325.3 ¥2,159.3 ¥1,910.2 ¥1,757.3	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥1,863.6 8在庫 1,800予想2027/02/05	メーカ部品番号 SCT040TO65G3 Mouser 部品番号 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	8在庫 1,800予想2027/02/05	カットテープ ¥1,863.6 ¥1,317.2 ¥1,096.3 ¥978.3 ¥913.6 リール ¥913.6	最低： 1 複数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,323.7 14在庫 600予想2027/10/29	メーカ部品番号 SCT040W120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	14在庫 600予想2027/10/29	¥2,323.7 ¥1,770.6 ¥1,475 ¥1,315.5 ¥1,227.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A SCT011H75G3AG STMicroelectronics 1: ¥4,677.4 988取寄中新製品	メーカ部品番号 SCT011H75G3AG Mouser 部品番号 511-SCT011H75G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A	データシート	988取寄中	カットテープ ¥4,677.4 ¥3,743.9 ¥3,237.3 ¥3,066.2 リール ¥2,863.6	最低： 1 複数： 1 : 1,000														AEC-Q100
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: ¥5,120.9 1,200予想2027/08/06	メーカ部品番号 SCT011HU75G3AG Mouser 部品番号 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,200予想2027/08/06	カットテープ ¥5,120.9 ¥4,099.3 ¥3,544.6 リール ¥3,356.9 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥4,479.7 1,800取寄中	メーカ部品番号 SCT016H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,800取寄中注文の出荷日メーカ番号： SCT016H120G3AG 在庫： 0 取寄中: 800 予想2027/04/30 1,000 TBD 工場リードタイム： 25 週間	カットテープ ¥4,479.7 ¥3,586.1 ¥3,101.1 ¥2,936.6 リール ¥2,744 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,049.6 1,997予想2027/06/11	メーカ部品番号 SCT025H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,997予想2027/06/11	カットテープ ¥3,049.6 ¥1,888.6 ¥1,863.6 リール ¥1,720.8	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,830.3 998予想2027/06/04	メーカ部品番号 SCT012H90G3AG Mouser 部品番号 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	998予想2027/06/04	カットテープ ¥3,830.3 ¥2,486.5 ¥2,481.5 ¥2,345.3 リール ¥2,190.9	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,102.7 600予想2027/11/05	メーカ部品番号 SCT018W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	データシート	600予想2027/11/05	¥3,102.7 ¥2,363.6 ¥1,969.9 ¥1,639.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101