Infineon Technologies CoolGaN™BDS評価ボード

インフィニオン (Infineon) CoolGaN™ BDS 評価ボードは、40V GaN 双方向スイッチを組み立てて評価するためのコンパクトなドータボードです。EVAL_IGK048B041S_GaN、EVAL_IGK080B041S_GaN、EVAL_IGK120B041S_GaN の各ボードは、設計イン、測定、および検証の各ワークフローにおいて、GaN 双方向スイッチの性能評価を行えるように設計されています。

評価ボードは、位置合わせされた Berg スティック型基板対基板コネクタを介して、EVAL_GD_BDS_GAN ゲートドライバボードに接続されます。インフィニオン (Infineon) CoolGaN™ BDS 評価ボードは、デュアルゲートの独立制御を備えたノーマリーオフ一体型 GaN 双方向スイッチをサポートし、両方向の電圧・電流ブロッキングを可能にするコモンドレイン構造を実現します。

これらのボードは、USB‑C 充電器や負荷スイッチ、eFuse、バッテリ管理システムにおけるコンパクトな双方向スイッチングの評価に最適です。CoolGaN™ BDS スイッチは、複数の単方向スイッチを置き換えることでコンポーネント数を削減し、スイッチング速度、効率性、電力密度、信頼性を向上させます。

特徴

40V GaN 双方向スイッチの組立および評価をサポート
Berg スティックコネクタ（EVAL_GD_BDS_GAN の基板対基板コネクタと位置合わせ済み）
EVAL_GD_BDS_GAN ゲートドライバ評価ボードとの互換性を確保するための Drain‑1、Drain‑2、およびゲート接続端子

ノーマリーオフ一体型 GaN 双方向スイッチは、デュアルゲートの独立制御をサポートします。
両方向の電圧および電流ブロッキングを可能にするコモンドレイン構造
複数の単方向スイッチ構成と比較して、コンポーネント数を削減

アプリケーション

USB-C充電器および負荷スイッチ
eFuses（イーフューズ）
バッテリマネジメントシステム

ハイサイド負荷スイッチ
スマートフォン用USBポートのOVP保護
複数の電源システムにおけるスイッチ回路

仕様

一般特性
- ノーマリーオフ一体型 GaN 双方向スイッチ
- デュアルゲートの独立制御
- コモンドレイン双方向ブロッキング構造
本ボードは ESD に対して感受性が高いため、実験室環境下での使用を想定しています。
EVAL_IGK048B041S_GaNサポート
- CoolGaN 40V・4.2mΩ 双方向スイッチ評価
- SG‑UFWLB‑22 ピン BGA パッケージ
- 2.1mm × 2.1mm の WLCSP パッケージサイズ

EVAL_IGK080B041S_GaNサポート
- CoolGaN 40V・6.0mΩ 双方向スイッチ評価
- SG‑UFWLB‑16 ピン BGA パッケージ
- 1.7mm × 1.7mm の WLCSP パッケージサイズ
EVAL_IGK120B041S_GaNサポート
- CoolGaN 40V・9mΩ 双方向スイッチ評価
- SG‑UFWLB‑12 ピン BGA パッケージ
- 1.2mm × 1.7mm の WLCSP パッケージサイズ
EVAL_GD_BDS_GAN 互換ゲートドライバボード