新しいメモリ IC

Micron 1γ DRAMノードベースのDDR5メモリは、1γ(1-gamma)、第6世代(10nmクラス)DRAMノードベースのDDR5メモリで、次世代CPU向けに設計されています。Micronの以前の1α(1-alpha)と1β(1-beta)DRAMノードをベースに構築されているので、優れた性能と電力効率を実現します。1γDRAMはさまざまなメモリ製品のコンピューティングのスケーリングをサポートするために性能を向上させ、将来のAIワークロード要件の要求を満たします。次世代の高誘電率メタルゲートCMOS技術と設計最適化により、省電力化も実現しています。この組み合わせにより20%以上の電力削減が可能となり、熱プロファイルが向上します。Micron 1γDRAM ノードベース DDR5 メモリは、前世代よりもウェハあたりのビット出力が >30%向上しています。適したアプリケーションには、モバイル、データセンター、自動車、エッジAI、AI PCなどがあります。
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Micron 1γ DRAMノードベースのDDR5メモリ1-gamma、第6世代(10nmクラス)DRAMノードベースのDDR5メモリは、次世代CPU向けに設計されています。2026/09/15 -
Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMsHigh-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.2026/08/10 -
Microchip Technology EV34X05AメモリエクスプローラSPIドータボードメモリエクスプローラEEPROM評価向け評価向けSPIドータボード2026/07/21 -
Microchip Technology 25CSM01 1Mbit SPIシリアルEEPROMECC、シリアル番号、および強化された書き込み保護機能を備えた1Mbit SPI EEPROM2026/07/21 -
Microchip Technology EV08L40AドータボードメモリエクスプローラシリアルEEPROM評価用シングルワイヤドータボードです。2026/07/21 -
Kingston LPDDR4x Low-Power DRAMsSupport data rates up to 4266Mb/s and maintain backward compatibility with lower speeds.2026/07/10 -
Texas Instruments TMF00xxEVM評価モジュールシングルワイヤFRAMデバイスのテストおよびメモリ管理のためのUSB評価モジュールです。2026/06/30 -
Macronix MX25L3233F MXSMIO® NOR Flash MemoryProvides sequential read operations across the entire chip and multi-I/O features.2026/06/04 -
Mikroe Flash 14 ClickA compact add-on board that supplies reliable non-volatile data storage for embedded systems.2026/04/20 -
STMicroelectronics B-M2MEM-PACK1 M.2シリアルメモリパック5 種類の不揮発性シリアルメモリ拡張ボードを備えています。2026/03/23 -
RAMXEED Wide Voltage Range SPI FeRAMsSupports high memory capacity of up to 4Mbit and 1.7V to 3.6V operating voltage range.2026/03/23 -
Infineon Technologies EVAL-CY15B104QSN評価ボードこのボードは、EXCELON™ F-RAMをあらゆる開発キットに、迅速かつ容易に搭載できます。2026/03/16 -
Infineon Technologies EVAL-CY15V116QSN評価ボードこのボードは、EXCELON™ F-RAMをあらゆる開発キットにすばやく簡単に搭載できます。2026/03/16 -
Texas Instruments TMF0008 8KビットシリアルFRAM工場出荷時に48ビットの固有識別番号と8ビットのファミリコードが書き込み済みのNVMデバイスです。2026/01/23 -
STMicroelectronics M24C64X-DRE 64KbitシリアルI2CバスEEPROM電源電圧1.7V~5.5V、1MHzまでのクロック周波数で動作。2025/10/03 -
onsemi NV250x0LV 低電圧車載用シリアルEEPROMEEPROMシリアル1Kb、2Kb、4Kb SPIデバイスは、128x8、256x8、512x8ビットとして内部構成されています。2025/08/25 -
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMこれらのデバイスは、SPI BUSインターフェイスの16KビットシリアルEEPROMで、書き換え回数400万回を実現しています。2025/08/19 -
GigaDevice D5F1GM9 High-Speed QSPI NAND FlashFeatures breakthrough read speeds and innovative Bad Block Management (BBM) functionality.2025/07/24 -
STMicroelectronics M24M02E-U 2MビットI2C対応 EEPROMデバイスは256Kx8ビットで、1.6V~5.5Vの電源電圧で動作可能です。2025/06/30 -
ISSI IS25LP512MJ & IS25WP512MJ Flash Memory DevicesFeature 80MHz normal read, up to 166MHz fast read, and up to 104MHz Double Transfer Rate (DTR).2025/06/16 -
Macronix e.MMC™ Embedded Flash Memory ModulesCompatible with the JEDEC e.MMC™ 5.1 standard and are ideal for smartphones and digital TVs.2025/06/02 -
onsemi N24C256X 256Kb I2C CMOSシリアルEEPROM低電力CMOSテクノロジーを採用しており、それぞれ8ビットの32,768ワードとして内部構成されています。2025/05/22 -
STMicroelectronics M24C64-U 64-KbitシリアルI2CバスEEPROM8K × 8ビットとして編成されており、1.7V ~ 5.5Vの広い電源電圧 範囲で動作します。2025/05/02 -
STMicroelectronics M24128-U 128KビットシリアルI²CバスEEPROM標準モード(100kHz)、高速モード(400kHz)、および高速プラスモード(1MHz)のI2Cバスモードに対応2025/04/29 -
RAMXEED MB85RS256B/128B/64/64V/64VY/16/16N FeRAM ChipsSupport a wide range of capacities, from 16Kbit to 256Kbit, with a serial peripheral interface.2025/04/10 -
