Nexperia eMode GaN FET
ネクスペリア (Nexperia) eMode GaN FETには、100V～650Vの電圧範囲があり、優れたスイッチング性能が備わっています。これらのGaN FETは、低いQC値とQOSS値により高速な遷移機能を提供し、優れた電力効率性を実現します。
ネクスペリア (Nexperia)低電圧（< 200v）eモードgan="">は、電力システムにおいて最適な柔軟性を提供します。これらのデバイスは、電気自動車や有線／無線充電システムの高速充電を可能にするだけでなく、LiDARにおける大幅なスペースとBOM削減、およびクラスDオーディオアンプにおける低ノイズ化を実現します。
ネクスペリア (Nexperia)高電圧（200V-650V）eMode GaN FETは、電力システムにおいて最適な柔軟性を提供し、1kW <中電力アプリケーションに最適です。これらのデバイスは、650v>
特徴
- エンハンスメントモード－通常オフ電源スイッチ
- ウルトラ高周波スイッチング機能
- ボディダイオードなし
- ゲート充電は低く、出力充電も低い
- 高効率とハイパワー密度
- 標準アプリケーションの認定済み
- ESD保護
- 鉛フリー、RoHSおよびREACHに準拠
アプリケーション
- ハイパワー 密度と高効率電力変換
- AC-DC コンバータ
- 高速バッテリ充電、携帯電話、ラップトップ、タブレット、およびUSB Type-C™充電器
- データコムとテレコム（AC-DCおよびDC-DC）コンバータ
- モータドライブ
- クラスDオーディオアンプ
ビデオ
その他のリソース
- パワーGaNテクノロジー：効率的な電力変換の必要性
- ネクスペリア (Nexperia)、低電圧および高電圧アプリケーション向けe-mode GAN FETを発売
- ゲートドライブ回路設計ネクスペリア (Nexperia)650V拡張モード(eモード) GaN FET
- 650V GaN FET：発明から産業化まで
- MOSFETをGaNトランジスタに置き換えることでEMCを排除する
- パワーGaNテクノロジー：効率的な電力変換の必要性
- パワー窒化ガリウム (GaN) FETのパンフレット
- パワーGaN：効率的な電力変換の必要性
- e-modeでGaN FETのアプリケーションを広げる
- PVインバータの効率性に目を向けたGaN
関連GaN FET
Nexperia 産業アプリケーション用GaN FET
電力の効率的な使用および電力変換と制御における効率性を向上します。
Nexperia GAN041-650WSB窒化ガリウム（GaN）FET
650Vのドレインソース電圧、47.2Aのドレイン電流定格、および 41mΩ の最大抵抗が備わっています。
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Pd - 電力損失 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN080-650EBEZ |  |
DFN-8080-8 | 650 V | 29 A | 188 W | 80 mOhms |
| GAN140-650EBEZ | |
DFN-8080-8 | 650 V | 17 A | 113 W | 140 mOhms |
| GANC035-650TBHZ | |
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| GANC035-650UTHZ | |
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| GANC035-650VSHQ | |
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| GANC070-650TBHZ | |
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| GANC070-650UTHZ | |
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| GANC070-650WSHQ | |
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| GANE140-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 17 A | 110 W | 140 mOhms |
| GANE350-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 6 A | 47 W | 350 mOhms |
公開: 2023-05-01
| 更新済み: 2026-07-07