MACOM GaN HEMT
Cree GaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、SiおよびGaAsトランジスタに比べて、より高い出力密度と幅広い帯域幅を提供しています。GaNには、シリコンやガリウム砒素に比べて、高耐圧、高飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率をはじめとする優れた特性があります。
特徴
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity
アプリケーション
- 2-Way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
- Satellite communications
- PTP communications links
- Marine radar
- Pleasure craft radar
- Port vessel traffic services
- High-efficiency amplifiers
Comparison Chart
Related Products
MACOM Wolfspeed CGHV96100F2 GaN HEMT
他のテクノロジーに比べて優れた電力負荷効率が備わっているIM FETです。
MACOM CGHV27030S GaN HEMT
30W、DC～6.0GHz、GaN HEMTには、高ゲインおよび広帯域の性能をが備わった高い効率性があります。
MACOM XバンドGaN HEMTs & MMIC
破壊電解を5倍、電力密度を10～20倍に増大します。
MACOM GaN on SiC Transistors
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.
公開: 2014-07-17
| 更新済み: 2025-08-26