Alliance Memory 低消費電力DDR2 SDRAM

アライアンス・メモリ低消費電力DDR2 SDRAMは、高速CMOSおよび動的アクセス・メモリで、8バンク・メモリ・デバイスとして内部設定されています。これらのDDR2 SDRAMは、4ビット取得済DDRアーキテクチャ、プログラマブル読取・書込待ち時間、自動温度補償セルフ更新(TCSR)、クロック・ストップ機能が特徴です。DDR2 SDRAMによって、コマンド/アドレス(CA)バスにダブル・データ・レート・アーキテクチャを採用することで、システム内の入力ピンの数を削減されています。このCAバスは、アドレス、コマンド、バンク情報の送信に使用されます。これらのDDR2 SDRAMは、DQ(双方向/差動データ・バス・ピン)でダブル・データ・レート・アーキテクチャを採用することで、高速動作を達成しています。

特徴

  • 400MHz最高クロック周波数範囲
  • 4ビット取得済のDDRアーキテクチャ
  • 低電圧電源
  • 自動TCSR
  • 部分的なアレイ・セルフ更新(PASR)省電力モード
  • ディープ・パワー・ダウン(DPD)モード
  • ドライバ強度(DS)制御
  • 同時動作用の8個の内部バンク
  • 多重化、ダブル・データ・レート、コマンド/アドレスの入力
  • データの1バイトあたりの双方向/差動データ・ストローブ
  • DMマスクは、データ・ストローブの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジでデータの書込を実行
  • プログラマブルREADおよびWRITE待ち時間(RL/WL)
  • 4、8、または16のプログラマブル・バースト長
  • オート更新およびセルフ更新をサポート
  • すべてのバンクのオート更新およびバンク毎のオート更新をサポート
  • クロック停止機能
  • 動作温度範囲: -40°C~85°C

DDR2 SDRAMのブロック図

ブロック図 - Alliance Memory 低消費電力DDR2 SDRAM
公開: 2018-06-28 | 更新済み: 2022-11-07