Analog Devices Inc. ADRF5130シリコンSPDT反射スイッチ
Analog Devices ADRF5130シリコン単極双投（SPDT）反射型スイッチは、0.7GHz～3.5GHzで動作する高電力スイッチです。ADRF5130スイッチは、高電力処理能力43dBm（max）、低挿入損失0.6dB、入力3次インターセプト68dBm（typ）、そして0.1dB圧縮（P0.1dB）が46dBmです。内部回路は正電圧単電源5Vで動作し、電源電流が1.06mA（typ）です。これによってADRF5130はピンダイオードを使用したスイッチに対し理想的な代替となります。44Wピークが備わったADRF5130スイッチは、ロングタームエボリューション（LTE）基地局といった高電力およびセルラーインフラアプリケーションに最適です。
特徴
- 反射型、50Ω設計
- 低挿入損失: 2GHzまで0.6dB（typ）
- 高絶縁: 2GHzまで50dB（typ）
- 高い電力処理能力
- RF入力電力、連続波（CW）@ TCASE = 85°C
- 最大動作: 43dBm
- 絶対最大定格: 46.5dBm
- RF入力電力、連続波（CW）@ TCASE = 85°C
- 高い直線性:
- 0.1dB圧縮（P0.1dB）: 46dBm（typ）
- 入力3次インターセプト（IP3）: 2GHzまで68dBm（typ）
- ESD定格:
- 人体モデル（HBM）: 2kV、Class 2
- 帯電デバイスモデル（CDM）: 1.25kV
- 正の単電源: VDD = 5V
- 正電圧制御、TTL互換: VCTL = 0VまたはVDD
- 24リード、4mm × 4mm LFCSPパッケージ（16mm²）
アプリケーション
- セルラー/4Gインフラ
- 無線インフラストラクチャ
- 試験装置
- 軍用および高信頼性アプリケーション
- ピンダイオードの代替品
機能ブロック図
関連ツール
Analog Devices Inc. EVAL-ADRF5130評価ボード
完全実装型のRO4350ベースの評価ボードで、熱管理を目的に8層の材料で構成されています。
公開: 2017-06-30
| 更新済み: 2022-04-18