Analog Devices Inc. ADRF5545A RFフロントエンドマルチチップモジュール
Analog Devices ADRF5545AデュアルチャンネルRFフロントエンド・マルチチップモジュールは、2.4GHz～4.2GHzで動作する時分割二重化（TDD）アプリケーションを対象に設計されています。ADRF5545Aは、カスケード式2段低ノイズアンプ（LNA）およびハイパワーシリコン単極双投（SPDT）スイッチが搭載されているデュアルチャンネルで構成されています。
高ゲインモードでは、カスケード接続された2段LNAおよびスイッチには、32dBm（typical）出力3次インターセプトポイント（OIP3）をともなって、3.6GHzでの低ノイズ指数 (NF) 1.45dBおよび高ゲイン32dBが備わっています。 低ゲインモードでは、2段LNAの1段がバイパス接続され、36mAの低消費電流で16dBのゲインを実現します。パワーダウンモードでは、LNAがOFFになり、12mAを消費します。
送信動作では、RF入力が終端ピン（TERM-ChAまたはTERM-ChB）に接続されている場合、スイッチは低挿入損失0.65dBを実現します。このデバイスは、完全寿命動作のための40dBmの長期間エボリューション（LTE）平均電力（ピーク対平均比（PAR）9dB）、およびシングル事象（<10秒）LNA保護動作のための43dBに対処できます。
特徴
- 統合デュアルチャンネルRFフロントエンド
- 2段階LNAおよびハイパワーSPDTスイッチ
- オンチップ・バイアスとマッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲインモード: 32dB (typical) @ 3.6GHz
- 低ゲインモード: 16dB（typical）@ 3.6GHz
- 低ノイズ値
- 高ゲインモード: 1.45dB (typical) @ 3.6GHz
- 低ゲインモード: 1.45dB（typical）@ 3.6GHz
- 高絶縁
- RXOUT-CHAおよびRXOUT-CHB: 47dB（typical）
- TERM-CHAおよびTERM-CHB: 52dB（typical）
- 低挿入損失: 0.65dB（typical）@ 3.6GHz
- ハイパワー対応@ TCASE = 105°C
- 全寿命
- LTE平均電力 (9dB PAR): 40dBm
- 単一イベント（< 10秒動作）
- LTE平均電力 (9dB PAR): 43dBm
- 全寿命
- 高OIP3: 32dBm typical
- パワーダウンモードと低ゲインモード（LNA向け）
- 低供給電流
- 高ゲインモード: 5Vで86mA typical
- 低ゲインモード: 5Vで36mA typical
- パワーダウンモード: 5Vで12mA typical
- 正論理制御
- 6mm×6mm、40リードLFCSPパッケージ
アプリケーション
- 無線インフラストラクチャ
- TDD大規模マルチ入力および複数出力ならびにアクティブ・アンテナ・システム
- TDDベースの通信システム
機能ブロック図
技術記事
- 5G Technology Devices for an O-RAN Wireless Solution
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関連開発ツール
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Associated Products
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TDDアプリケーション用に設計されたデュアルチャンネル、統合RF、フロントエンド、マルチチップモジュールです。
公開: 2019-10-02
| 更新済み: 2024-03-11