このドライバは、iCoupler技術を採用して開発されており、沿面距離8mmの6リードワイドボディSOICパッケージで精密な5kVrms絶縁を実現します。ADuM4120/ADuM4121の高速CMOSおよびモノシリック・トランスフォーマ技術によって、広範なスイッチング電圧全体でIGBT/MOSFETスイッチング特性での信頼性の高い制御を実現するゲートドライバが可能です。高コモンモード過渡電圧耐性(CMTI)と堅牢なドライブ強度によって、ADuM4120/ADuM4121は高速スイッチング技術の優れた選択肢となります。
特徴
- 2.3Aピーク出力電流(<2Ω RDSON_x)
- 2.5V~6.5V VDD1入力
- 4.5V~35V VDD2出力
- (ADuM4120) UVLO @ 2.3V VDD1
- (ADuM4121) UVLO @ 2.5V VDD1
- VDD2での複数のUVLOオプション
- グレードA-4.4V(標準)正の進行中閾値
- グレードB-7.3V(標準)正の進行中閾値
- グレードC-11.3V(標準)正の進行中閾値
- 高精度タイミング特性
- 79ns(max)のアイソレータとドライバ伝搬遅延の立下がりエッジ(ADuM4120)
- CMOS入力ロジックレベル
- 高コモンモード過渡電圧耐性: 150kV/μs
- 初期状態出力はローレベル
- 53ns(最大)のアイソレータとドライバ伝搬遅延の立下がりエッジ(ADuM4121)
- 高ジャンクション温度動作: 125°C
- 安全および規制に関わる承認(申請中)
- UL認定 UL1577規格に準拠
- 1分間のSOICロングパッケージで5kVrms
- CSA部品受け入れ通知書5A
- VDE適合性認定(申請中)
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849Vピーク
- 沿面距離: 8mm
- 沿面距離を増やしたワイドボディ、6リードSOIC
アプリケーション
- スイッチング電源
- IGBT/MOSFETゲートドライバ
- 産業用インバータ
- 窒化ガリウム(GaN)/炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス
公開: 2017-10-23
| 更新済み: 2022-04-26

