Analog Devices Inc. LTC7890/1同期降圧型コントローラ

Analog Devices LTC7890/1 同期降圧コントローラは、高性能DC/DCスイッチングレギュレータ・コントローラで、最大100Vの入力電圧からすべてのNチャネル同期窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）パワーステージをドライブします。これらのコントローラは、GaN FETを使用する際に従来直面していた課題に対するソリューションを提供します。このデバイスは、シリコン金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）ソリューションと比較して、保護ダイオードや追加の外付け部品を必要とせず、アプリケーション設計を簡素化します。

ADI LTC7890/1同期降圧型コントローラは、デッドタイム中にブーストピンからSWピンハイサイドドライバ供給への過充電を防止する内部スマートブートストラップスイッチをサポートしており、トップGaN FETのゲートを保護します。このシリーズは、両方のスイッチングエッジでのゲートドライバタイミングを内部的に最適化し、スマートなほぼゼロデッドタイムを供給し、効率性を向上させ、高入力電圧であっても高周波数動作が可能になります。LTC7890/1のゲート駆動電圧は、4V ～ 5.5Vの範囲で正確に調整され、性能を最適化してさまざまなGaN FETまたは論理レベルMOSFETを有効にします。

LTC7890シリーズは、40-lead (6mm × 6mm) 、サイドウェッタブル、QFNパッケージでご用意があります。他方、LTC7891には、28リード (4mm × 5mm) サイドウェッタブルQFNパッケージがあります。

特徴

GaN駆動技術は、GaN FET向けに完全に最適化
広いV_IN 範囲：4V～100V
広い出力電圧範囲：0.8V ≤ V_OUT ≤ 60V
キャッチ、クランプ、あるいはブートストラップダイオードが不要
高圧側ドライバ電源の過充電を防止する内部スマートブートストラップスイッチ
内部で最適化されたスマート・ニアゼロ・デッドタイムまたは抵抗器を使用して調整できるデッドタイム
ターンONおよびターンOFFドライバの強度調整を実現するための分割出力ゲートドライバ

ドライバ電圧とUVLOの精密な調整が可能
低I_Q ：5μA（48V_IN から5V_OUT）
プログラマブル周波数(100kHz ～ 3MHz)
位相ロック対応周波数（100kHz～3MHz）
スペクトラム拡散周波数変調
パッケージ
- 40-lead (6mm × 6mm) 、サイドウェッタブル、QFNパッケージ（LTC7890）
- 28-lead (4mm × 5mm) サイドウェッタブル、QFNパッケージ（LTC7891）