Analog Devices Inc. TMC2211集積ステッパドライバ

高い統合度、高いエネルギー効率、および小型フォームファクタにより、コスト効率の高いソリューションを実現する小型化およびスケーラブルなシステムが可能になります。この完全なソリューションにより、学習曲線が最小限に抑えられ、クラス最高の性能が得られます。Hブリッジ型電界効果トランジスタ（FET）はインピーダンスが非常に低いため、高い駆動効率性と最小限の発熱を実現します。総 R_ON（高圧側 + 低圧側）の標準値は0.31Ωです。

Hブリッジあたりの最大RMS電流は、室温でV_S = 24Vの場合、2A、V_S = 48Vの場合、1.7A（4層PCBを想定）です。適用されるRMS電流は、熱制限のため、環境温度、負荷サイクル、およびアプリケーションの熱特性（PCB接地板、ヒートシンク、換気）により異なります。Hブリッジあたりの最大フルスケール電流は、最大 IFS = 3,0Aであり、I_REFに接続された外部抵抗器で設定可能です。この電流は、内蔵電流駆動制御回路の最大電流設定として定義されます。