Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MTシリコン光電子増倍管

ブロードコム (Broadcom) AFBR-S4N66P014M NUV-MT シリコン光電子増倍管は、単一光子の超高感度精密測定に使用されます。シングルチャネルSiPMはNUV-MT技術を採用し、NUV-HD技術に比べて光検出効率(PDE)が改善され、ダークカウント率とクロストークが低減されています。このデバイスは、40µmのSPADピッチを備えています。ブロードコム (Broadcom)AFBRS4N66P014M SiPMを複数並べて配置することで、広範囲の領域をカバー可能です。

Broadcom AFBR-S4N66P014M アレイは、優れた機械的安定性と堅牢性を実現するために、エポキシ樹脂透明モールド化合物を封入しています。このエポキシ樹脂は、紫外線波長まで高い透明性を持つため、可視光スペクトルで幅広い応答性がもたらされ、青色および近紫外線領域に対して高い感度を示します。

デバイスは低レベルのパルス光源検出に適しており、代表的な有機(プラスチック)および無機シンチレータ材料(LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBrなど)からのチェレンコフ光やシンチレーション光検出に特に適しています。

特徴

  • 高PDE(420nmで63%)
  • 4面傾斜、高フィルファクタ
  • 40μmのセルピッチ
  • 透明度の高いエポキシ保護層
  • 動作温度範囲:-20°C ~ +60°C
  • 優れたSPTRとCRT
  • デバイス間における優れた均一性の破壊電圧とゲイン
  • RoHS、CFM、REACHに準拠

アプリケーション

  • X線とガンマ線検知
  • 原子力薬
  • 陽電子放出断層撮影
  • 安全とセキュリティ
  • 物理学実験
  • チェレンコフ検出

ブロック図

ブロック図 - Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MTシリコン光電子増倍管

リフローはんだ付けダイアグラム

パフォーマンスグラフ - Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MTシリコン光電子増倍管
公開: 2023-05-10 | 更新済み: 2024-12-24