Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT)トランジスタ

Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低V_{CE (SAT)} トランジスタは、超低V_{CE (SAT)} 性能とより低い動作温度の達成を目的とした独自の構造が特徴で、熱管理のニーズを最小限に抑えて長期信頼性を向上させます。Diodes Incorporated DXTN69060C仕様には、60V以上の破壊電圧(BV_CEO)、5.5Aの連続コレクタ電流、1Aで45mV未満の低飽和電圧があります。24mΩで標準大電流R_{CE (sat)} 、最大6AのhFE特性、2W電力損失、短いストレージ時間での高速スイッチングが備わっているこのトランジスタは、高電力アプリケーションでの効率的で信頼性の高い性能を目的に設計されています。