Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFETは、シリコンカーバイドMOSFETで、オン状態抵抗を最小限に抑え優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。これらのMOSFETは、低入力容量、最大100μAのゼロゲート電圧ドレイン電流、最大± 250nAのゲート－ソース漏洩、高BV_DSS 定格が特徴で、パワーアプリケーションを対象としています。DMWSH120Hx MOSFETは、-55°C ～ 175°C温度範囲内で動作し、UL 94 V-0難燃性等級定格に準拠しています。これらのパワーMOSFETは、EVハイパワーDC-DCコンバータ、EV充電システム、ソーラーインバータ、AC-DCトラクションインバータ、車載モータドライバに最適です。

特徴

低オン抵抗
パワーアプリケーション用の高BV_DSS 定格
低入力容量
最大100μAのゼロゲート電圧ドレイン電流
最大± 250nAのゲート－ソース漏洩
AEC-Q101認定済(品番、DMWSH120H28SM4Q、DMWSH120H90SM3Q、DMWSH120H90SM4Q)
無鉛仕上げ

RoHS準拠
UL 94 V-0難燃性等級等級
動作温度範囲：-55°C～175°C
TO247、TO247-4、またはTO263-7パッケージでご用意あり

アプリケーション

EVハイパワーDC/DCコンバータ
EV充電システム
ソーラーインバータ

AC-DCトラクションインバータ
車載用モータドライバ

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部品番号	チャンネル数	トランジスタ極性	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	Pd - 電力損失
DMWSH120H90SCT7	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	38.2 A	90 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	54.6 nC	197 W
DMWSH120H28SM3Q	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	405 W
DMWSH120H28SM3	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	405 W
DMWSH120H28SM4	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	173.7 nC	429 W
DMWSH120H43SM3	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	72.7 A	43 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	105 nC	341 W
DMWSH120H90SM3	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	246 W
DMWSH120H90SM3Q	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	246 W
DMWSH120H90SM4	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	235 W
DMWSH120H28SM4Q	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	173.7 nC	429 W
DMWSH120H90SM4Q	1 Channel	N-Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	235 W

公開: 2024-06-11 | 更新済み: 2024-07-22