Diodes Incorporated PI2SSD3212A114-ビット2:1eMMC/DDR信号スイッチ

ダイオーズ(Diodes Inc.)PI2SSD3212A11.8V14 ビット2:1eMMC/DDR シグナル スイッチは、最大速度400MB/s、1.8Vまたは1.2VI/O の eMMC HS200 および HS400 バス用に設計されています。HS200は、200MHzシングルデータレートバスで最大200MB/s、200MHzデュアルデータレートバスで最大400MB/sの高速インターフェイスタイミングモードです。さらに、CMOSセレクト入力信号に対応し、POD_12、SSTL_135、SSTL_15、SSTL_18のシグナル方式をサポートします。最大5Gbpsの速度に対応し、DDR2、DDR3、DDR4メモリバススイッチとして使用できます。PI2SSD3212A1は、DDR3で800Mbps〜2133Mbps、DDR4で1600Mbps〜4266Mbpsに対応しています。

PI2SSD3212A1には1:2demux または2:1mux のトポロジーがあります。すべての14ビットチャンネルは、SEL入力で2つのポートのいずれかに切り替えることができます。また、すべてのポートを切断することもできます。PI2SSD3212A1には、ダイオーズ(Diodes Inc.)独自の高速スイッチ技術が採用されており、最小限のクロストーク、挿入損失、ビット対ビット・スキューで、すべてのチャンネル全体で一貫した高帯域幅を実現しています。48ピンTFBGA 4.5mm x 4.5mm x 0.8mmパッケージでご用意があります。

特徴

  • eMMC HS200 および HS400 を400MB/sまで、DDR3800Mbps~2,133Mbpsまで、DDR41,600Mbps~4,266Mbpsまでサポートする 14 ビット 2:1スイッチ。
  • 1.8Vの単電源
  • SELおよびグローバル・イネーブル
  • 1.8VVDDで150μAの標準動作電流
  • 無効化または未選択時には、高インピーダンスかつ低 Coff のチャネル出力となります。
  • 標準4Ωの低オン抵抗RON
  • -3dB帯域幅:2.8GHz
  • 小挿入損失-0.35dBで400MHz
  • 400MHzで-23dBの低リターン損失
  • 400MHzで-26dBの高速チャンネルを対象とした低クロストーク
  • 400MHzで-28dBの高オフ絶縁
  • 低10ps標準ビット対ビット・スキュー
  • 2kV HBM ESD
  • 48ピン、4.5mm x 4.5mm x 0.8mm、TFBGA (NC)パッケージ
  • 無鉛、RoHS準拠
  • ハロゲンとアンチモンフリーのグリーン・デバイス

アプリケーション

  • 高速多重化
  • eMMCモジュール
  • DDR3/DDR4メモリ バスシステム

ブロック図

ブロック図 - Diodes Incorporated PI2SSD3212A114-ビット2:1eMMC/DDR信号スイッチ
公開: 2025-09-24 | 更新済み: 2026-01-07