Infineon Technologies Cypress FL-L NORフラッシュメモリファミリ
Cypress FL-L NORフラッシュメモリファミリには、65nmプロセスリソグラフィおよびフローティングゲート技術が使用されています。このFL-Lファミリは、シリアルペリフェラルインターフェース(SPI)経由でホストシステムに接続します。FL-Lファミリは、従来のSPIシングルビット(シングルI/OまたはSIO)ならびにオプションの2ビット(デュアルI/OまたはDIO)に対応しています。また、4ビット幅のクワッドI/O(QIO)およびクワッドペリフェラルインターフェイス(QPI)コマンドにも対応しています。FL-Fファミリには、アドレスを転送してクロックの両エッジでデータを読むQIOおよびQPIのダブルデータレート(DDR)読取コマンドが使用されています。このアーキテクチャは、1回の動作で256バイトまでプログラミングできるページプログラミングバッファが特徴です。また、このアーキテクチャは、個々の4KBセクタ、32KBハーフブロック、64KBブロック、またはチップ全体の消去を実現しています。FL-L NORフラッシュには、さまざまなモバイルアプリケーションまたは埋込アプリケーションに使用される高密度、高い柔軟性、高速性能が備わっています。
このフラッシュメモリは、スペース、信号接続、電力が限られたシステム向けの優れたストレージソリューションに貢献しています。さらに、このフラッシュメモリは、RAMへのコードシャドウイング、コードの直接実行(XIP)、再プログラム可能なデータの保存に理想的です。
特徴
- 複数I/Oが備わったシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)
- クロックの極性と0~3位相モード
- ダブルデータレート(DDR)オプション
- クワッドペリフェラルインターフェース(SPI)オプション
- 拡張アドレス: 24または32ビットのアドレスオプション
- S25FL-A、S25FL1-K、25FL-P、S25FL-S、S25FS-S SPIファミリとの互換性があるシリアルコマンドサブセットと形状
- 25FL-P、S25FL-S、S25FS-S SPIファミリとの互換性がある複数のI/Oコマンドサブセットと形状
- 読む
- コマンド: ノーマル、高速、デュアルI/O、クワッドI/O、デュアルO、クワッドO、DDRクワッドI/O
- モード: バーストラップ、連続(ZIP)、QPI
- 構成情報用のシリアルFlashデバイス公開パラメータ(SFDP)
- プログラムアーキテクチャ
- 256バイトのページプログラミングバッファ3.0V FL-Lフラッシュメモリ
- 中断と再開のプログラミング
- 消去アーキテクチャ
- 均一な4KBセクタ消去
- 均一な2KBハーフブロック消去
- 均一な64KBブロック消去
- チップ消去
- 中断と再開の消去
- 100,000回のプログラム消去サイクル
- 一般的に20年のデータ保持
- 技術
- 65nmフローティングゲート技術
- セキュリティ機能
- ステータスと構成レジスタ保護
- メインフラッシュアレイの外側にそれぞれ25、6バイトの4つのセキュリティ領域
- レガシーブロック保護: ブロック範囲
- 個々および地域の保護
- 個々のブロックロック: 揮発性の個別セクタ/ブロック
- ポインタ地域: 非揮発性セクタ/ブロック範囲
- 電源ロックダウン、パスワード、あるいはセキュリティ保護領域2と3およびポインタ領域の永続的な保護
- CMOS I/Oを備えた単一電源電圧
- 2.7V~3.6V
- 温度範囲
- 工業用:-40°C~+85°C
- 工業プラス(–40°C~+105°C)
- 拡張(–40°C~+125°C)
- 車載、AEC-Q100 Grade 3 (–40°C~+85°C)
- 車載、AEC-Q100 Grade 2 (–40°C~+105°C)
- 車載、AEC-Q100 Grade 1 (–40°C~+125°C)
- パッケージ(すべて無鉛)
- 8ピンSOIC 208 mil (SOC008)—S25FL128Lのみ
- WSON 5 x 6mm (WND008)—S25FL128Lのみ
- WSON 6 x 8mm (WNG008) — S25FL256Lのみ
- 16-pin SOIC 300 mil (SO3016) — S25FL256Lのみ
- BGA-24 6 x 8mm
- 5 x 5ボール(FAB024)形状
- 4 x 6ボール(FAC024)形状
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公開: 2017-01-26
| 更新済み: 2024-04-11
