Infineon Technologies S27KS064x & S27KL064x HYPERRAM™ 2.0メモリ
Infineon Technologies S27KS064xおよびS27KL064x HYPERRAM™ 2.0メモリは、拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステム向けの高速、低ピン数のDRAMです。パラレルとシリアルの両方のインターフェイスメモリのレガシー機能を活用するHYPERBUS™ およびオクタルSPIインターフェイスを提供します。これらのDRAMは、1.8V～3Vの電圧範囲で動作し、最大400MBpsスループットの帯域幅を実現します。これらによってHYPERRAM™ 2.0は、オンボードRAMに制限のあるコントローラに最適な拡張メモリと言えます。HYPERRAM™ 2.0は、スクラッチパッドメモリとして使用すると読み取り/書き込み操作が可能になるため、高解像度グラフィックスを高速配信できます。主なアプリケーションは、自動車用インストルメントクラスタ、産業用ヒューマン・マシン・インターフェイス (HMI)、産業用マシンビジョン、民生用電子機器向けのディスプレイシステムなどです。
Infineon Technologies S27KS064xおよびS27KL064x HYPERRAM™ 2.0 DRAMは、強化ボール・グリッド・アレイ（BGA）パッケージで販売されています。
特徴
- テクノロジー: 38nm DRAM
- HYPERBUSインターフェイス
- インターフェイスサポート：8V～3.0V
- シングルエンド・クロック（CK）- バス信号11個
- オプションの差動クロック（CK、CK#）- バス信号12個
- チップセレクト（CS#）
- 8ビット対応データバス（DQ[7:0]）
- ハードウェアリセット（RESET#）
- 双方向の読取/書込データストロボ（RWDS）：
- すべてのトランザクションの開始時に出力し、更新の待ち時間を示す
- 読取データストローブとして読取トランザクション時に出力
- 書込データマスクとして書込トランザクション時に入力
- オプションのDDR中央揃え読取ストローブ（DCARS）
- 読み出しトランザクション中、RWDSはCKから位相シフトされた第2のクロックによりオフセット
- 位相シフトクロックは読取データアイ内部のRWDS過渡エッジの移動に使用
- 最速クロックレート：200MHz
- DDR - クロックの両エッジでデータを転送
- 最大 400MBps (3200Mbps) のデータスループット
- 設定可能なバースト特性、リニア バースト
- ラップバースト長
- 16バイト（8クロック）
- 32バイト（16クロック）
- 64バイト（32クロック）
- 128バイト（64クロック）
- ハイブリッドオプション - 1つのラップバーストおよびそれに続く線形バースト
- 出力ドライブ強度を設定可能
- 電力モード
- ハイブリッドスリープモード
- ディープパワーダウン
- アレイ更新
- 部分的なメモリアレイ(1/8、1/4、1/2)
- フル
- 動作温度範囲
- 工業 (I): -40°C ～+85°C
- 工業Plus (V): -40°C to +105°C
- 車載、AEC-Q100 Grade 3: -40°C～+85°C
- 車載、AEC-Q100 Grade 2: -40°C～+105°C
- 6.0mm x 8.0mm x 1.0mm FBGA24パッケージ
アプリケーション
- 自動車計器クラスタ
- 家庭用電子機器のディスプレイシステム
- 民生用および産業用HMI
- 産業用マシンビジョン
ビデオ
論理ブロック図
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公開: 2020-02-24
| 更新済み: 2024-09-27