Infineon Technologies S80KS2562 & S80KS2563 256Mb HYPERRAM™2.0メモリ

Infineon Technologies S80KS2562およびS80KS2563 HYPERRAM™ 2.0メモリは、HyperBUS（S80KS2562）またはOctal xSPI（S80KS2563）インターフェイスを備えた、高速、低ピン本数、低電力のセルフ更新型動的RAM（DRAM）です。どちらのデバイスも、200MHz最大クロックレート、最大400MBpsのデータスループット、および省エネのハイブリッドスリープモードとディープパワーダウンモードを搭載しています。S80KS2562およびS80KS2563 HyperRAMは、スクラッチパッドまたはバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステムでの使用に最適です。

HYPERRAM製品でサポートされるHyperBusおよびOctal xSPIインターフェイスは、パラレルおよびシリアルインターフェイスメモリのレガシー機能を利用すると同時に、システム性能を向上させ、設計を容易にし、システムコストを削減します。

ピン本数の少ないアーキテクチャにより、HYPERRAMは、オフチップ外付けRAMを必要とし電力に制限がありボードスペースが限られているアプリケーションに特に適しています。

Infineon Technologies S80KS2562およびS80KS2563 256Mb HYPERRAMメモリは、24ボールのファインピッチ・ボール・グリッド・アレイ（FBGA）パッケージでご用意しております。

特徴

テクノロジー：25nm DRAM
インターフェイス
- S80KS2562：HyperBUS™インターフェイス
- S80KS2563：xSPI（オクタル）インターフェイス
- 1.8Vインターフェイスのサポート
  - バスシグナル11個を使用したシングルエンド・クロック（CK）
  - バスシグナル12個を使用したオプションの差動クロック（CK、CK#）
- チップセレクト（CS#）
- 8ビットデータバス（DQ[7:0]）
- ハードウェアリセット（リセット#）
- 双方向の読取/書込データストロボ（RWDS）
  - 遅延更新を示すために、すべてのトランザクションの開始時に出力
  - 読取データストローブとして読取トランザクション時に出力
  - 書込データマスクとして書込トランザクション時に入力
アレイ更新
- 部分的なメモリアレイ
- フル

電力
- 22mA/25mAバースト読取/書込消費電流
- ハイブリッドスリープモード
- ディープ電力ダウンモード
性能
- 200MHz最大クロックレート
- 35ns最大アクセス時間
- DDR - クロックの両エッジでのデータ転送
- 最大400MBps（3200Mbps）のデータスループット
- 構成可能なバースト特性
  - 線形バースト
  - ラップバースト長
    - 16バイト（8クロック）
    - 32バイト（16クロック）
    - 64バイト（32クロック）
    - 128バイト（64クロック）
  - ハイブリッドオプション - 1つのラップバーストおよびそれに続く線形バースト
- 出力ドライブ強度を設定可能
パッケージ
- 6.0mm x 8.0mm FBGA-24パッケージ、1.0mmピッチ