Infineon Technologies 1200Vレベルシフト・ゲートドライバ

Infineon 産業用ドライブ向け1200Vレベルシフトゲートドライバには、IGBTまたはMOSFETに適した三相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイドドライバが含まれます。ブートストラップダイオード（BSD）と過電流保護を内蔵した6ED2230S12T 三相1200V SOIドライバは、Infineon独自のシリコンオンインシュレータ（SOI）レベルシフトテクノロジーを利用しています。6ED2230S12Tは、業界を代表する負VS堅牢性による機能的絶縁を実現しています。また、内蔵ブートストラップダイオードによりレベルシフト損失の低減も実現し、BOMコストの削減とPCBフットプリントの縮小を可能にします。

Infineon 1200Vレベルシフトゲートドライバは、業界標準のパッケージとピン配列構成で提供されます。これらのドライバには、レベルシフト機能を実現する接合分離（JI）テクノロジーとシリコンオンインシュレータ（SOI）テクノロジーが利用されています。IR2214SSは、接合分離（JI）テクノロジーベースのハーフブリッジゲートドライバで、DESATおよびソフトシャットダウン機能を備えています。

特徴

内蔵高速ブートストラップダイオード（6ED2230S12T）
±5%の基準閾値の過電流保護（OCP）
クラス最高レベルの負のV_S 過渡耐性（6ED2230S12T）
+1200Vオフセット電圧まで完全に作動
負の過渡電圧に対する許容差、dV/dt耐性
V_CC およびV_BS の低電圧ロックアウト（UVLO）保護
統合デッドタイムおよびクロス伝導防止論理
さまざまな入力オプションとマッチングされた伝搬遅延出力
スタンダードのピン配列およびパッケージ
さまざまな統合型の特徴と機能
- 不飽和、ソフト/ハードシャットダウン、プログラマブルデッドタイム、イネーブルとクリア、2段ターンONによる障害報告、ブレーキチョッパ